[发明专利]单晶炉的热屏无效

专利信息
申请号: 201110455273.1 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN103184509A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 汤仁兴 申请(专利权)人: 汤仁兴
主分类号: C30B15/14 分类号: C30B15/14
代理公司: 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 代理人: 唐纫兰;曾丹
地址: 214434 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 单晶炉
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种单晶炉的热屏,属于单晶硅的生产制造设备技术领域。

背景技术

单晶硅是具有完整的点阵结构的晶体,是一种良好的半导体材料,目前被广泛用于半导体器件以及太阳能电池的制造。现有的单晶硅制造设备为单晶炉,其主要包括炉底、下炉体、上炉体、上炉盖、隔离阀和副炉六大部分组成。

其中下炉体中固定有热屏,用于对放入其内部的单晶硅进行加热。热屏在加热过程中需要保持较高的温度,然而以往单晶炉热屏仅由内热屏层和外热屏层两层组成,其的保温效果较差,导致单晶硅的生产受到影响。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足,提供一种能够保证单晶硅正常生产,保温效果较好的单晶炉的热屏。

本发明的目的是这样实现的:

本发明单晶炉的热屏,内热屏层和外热屏层,所述内热屏层和外热屏层之间设有保温层。

所述保温层为软毡。

这种单晶炉的热屏具有以下优点:

这种单晶炉的热屏在内热屏层和外热屏层之间增设了保温层,该保温层的材料为软毡,其导热系数小,隔热性能好,使得内热屏层的温度不易传到外热屏层上,从而提高了热屏的保温性能,保证了单晶硅的正常生产。

附图说明

图1为本发明单晶炉的热屏的结构示意图。

图中:内热屏层1、外热屏层2、保温层3。

具体实施方式

参见图1,本发明涉及的一种单晶炉的热屏,包括内热屏层1和外热屏层2,所述内热屏层1和外热屏层2之间设有保温层3,该保温层3为软毡,其导热系数较低,隔热性能好,使得内热屏层1的温度不易传到外热屏层2上,从而提高了热屏的保温性能,保证了单晶硅的正常生产。

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