[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

存储器单元阵列，被配置为包括耦接到偶数位线的偶数串和耦接到奇数位线的奇数串；

电压源电路，被配置为提供用于所述偶数串中包括的偶数存储器单元和所述奇数串中包括的奇数存储器单元的编程操作和读取操作的电压；

页缓冲器，每个均耦接到一对偶数位线和奇数位线；以及

控制器，被配置为控制所述页缓冲器，使得每个页缓冲器通过检测设置在每条偶数位线两侧的奇数位线的电压来检测所述奇数存储器单元的阈值电压电平，并且根据检测结果控制电压源电路以便控制置于所述奇数存储器单元之间的每个所述偶数存储器单元的读取操作条件。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，在执行所述偶数存储器单元的读取操作之前，所述控制器将耦接到所述页缓冲器的偶数编号的页缓冲器的偶数位线设定在浮置状态，并且控制所述页缓冲器使得当耦接到页缓冲器的每个奇数编号的页缓冲器的奇数位线的电压因所述奇数存储器单元的读取操作而改变时，每个偶数编号的页缓冲器通过检测因电容耦合现象导致的偶数位线的电压漂移来检测所述奇数存储器单元的阈值电压电平。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述控制器控制所述页缓冲器，使得将接地电压提供给耦接到偶数编号的页缓冲器的奇数位线以及耦接到奇数编号的页缓冲器的偶数位线。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，在执行所述偶数存储器单元的读取操作之前，所述控制器将耦接到所述页缓冲器的奇数编号的页缓冲器的偶数位线设定在浮置状态，并且控制所述页缓冲器使得当耦接到页缓冲器的偶数编号的页缓冲器的奇数位线的电压因所述奇数存储器单元的读取操作而改变时，每个奇数编号的页缓冲器通过检测因电容耦合现象导致的偶数位线的电压漂移来检测所述奇数存储器单元的阈值电压电平。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述控制器控制所述页缓冲器，使得将接地电压提供给耦接到奇数编号的页缓冲器的奇数位线以及耦接到偶数编号的页缓冲器的偶数位线。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述控制器基于置于每个所述偶数存储器单元两侧的所述奇数存储器单元的检测到的阈值电压电平来生成掩码数据，在允许限度内改变读取电压的同时执行读取操作，并且将通过所述读取操作输出的所述偶数存储器单元的数据中的根据所述掩码数据选择的数据输出。

7.一种操作半导体存储器件的方法，包括：

允许耦接到包括偶数位线和奇数位线的一对位线的页缓冲器中的每个通过检测置于所述偶数位线两侧的奇数位线的电压来检测置于每个偶数存储器单元两侧的奇数存储器单元的阈值电压电平；

基于检测到的电平生成掩码数据；以及

执行读取操作，用于向所述偶数存储器单元提供基于所述掩码数据设定的读取电压以便输出所述偶数存储器单元中存储的数据。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，检测所述奇数存储器单元的阈值电压电平包括：

将耦接到所述页缓冲器的偶数编号的页缓冲器的偶数位线设定在浮置状态；

当耦接到页缓冲器的每个奇数编号的页缓冲器的奇数位线的电压因所述奇数存储器单元的读取操作而改变时，允许每个偶数编号的页缓冲器检测因电容耦合现象导致的偶数位线的电压漂移；

将耦接到所述页缓冲器的奇数编号的页缓冲器的偶数位线设定在浮置状态；以及

当耦接到奇数编号的页缓冲器的奇数位线的电压因所述奇数存储器单元的读取操作而改变时，允许每个奇数编号的页缓冲器检测因电容耦合现象导致的偶数位线的电压漂移。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在耦接到所述偶数编号的页缓冲器的偶数位线被设定在浮置状态并且所述偶数编号的页缓冲器检测到偶数位线的电压漂移时，将接地电压提供给耦接到所述奇数编号的页缓冲器的奇数位线以及耦接到所述奇数编号的页缓冲器的偶数位线。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，在耦接到所述奇数编号的页缓冲器的偶数位线被设定在浮置状态并且所述奇数编号的页缓冲器检测到偶数位线的电压漂移时，将接地电压提供给耦接到所述奇数编号的页缓冲器的奇数位线以及耦接到所述偶数编号的页缓冲器的偶数位线。