[发明专利]形成TFT阵列基板的方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及形成用于反射式或半反半透式LCD的TFT阵列基板的方法。

背景技术

目前，反射式液晶显示器、半反半透液晶显示器由于具有良好的户外显示效果和低功耗，因此越来越受到欢迎。

图1为现有技术的反射式液晶显示器的像素结构的平面示意图，参考图1，现有技术中的反射式液晶显示器的像素结构包括：栅极11，源极12，漏极13，与栅极11电连接的扫描线14，与源极12电连接的数据线15，位于像素区的公共电极21、像素电极22和反射电极23，其中，反射电极23具有多个凸起24，像素电极22通过通孔25与漏极13电连接。

图2～图5为TFT阵列基板形成工艺沿图1所示的A-A方向的剖面示意图，图2～图5仅显示一个像素。用于反射式显示器的TFT阵列基板的形成工艺包括：

结合参考图1和图2，提供基板10，在基板10上形成金属层，对该金属层进行图形化，形成栅极11、扫描线14和公共电极21，在图2中的剖示位置仅显示出公共电极21，且图2中公共电极21的形状仅起示意作用。形成介质层31，覆盖栅极11、扫描线14、公共电极21和基板10；之后在介质层31上形成非晶硅层，对非晶硅层进行图形化形成有源区(图中未示)；接着形成金属层，覆盖有源区和介质层31；然后，对金属层进行图形化形成源极12、漏极13和数据线15，在图2中的剖示位置仅显示出漏极13，且图2中漏极13的形状仅为示意作用；之后形成钝化层32，覆盖源极12、漏极13、数据线15、介质层31、有源区，并对钝化层32进行图形化形成开口27，暴露出漏极13。其中，形成栅极11、扫描线14和公共电极21为第一道掩膜工艺，形成有源区为第二道掩膜工艺，形成源极12、漏极13、数据线15为第三道掩膜工艺，形成开口27为第四道掩膜工艺。

参考图3，形成有机膜层33，覆盖钝化层32并填充开口27覆盖漏极13。

参考图4，利用掩膜版对有机膜层33进行第一曝光，该第一曝光是为在有机膜层33中形成凸起24，其中第一曝光时光线的扫描速度为85mm/sec(毫米/分)；再利用另一道掩膜版对有机膜层33进行第二曝光，该第二曝光是为在有机膜层33中形成通孔25，第二曝光时光线的扫描速度为20mm/sec；之后，对进行了第一曝光和第二曝光的有机膜层33进行显影，在有机膜层33形成凹槽26和通孔25，相邻凹槽26之间的有机膜层为凸起24。进行第一曝光用到第五道掩膜工艺，进行第二曝光用到了第六道掩膜工艺。

参考图5，接着形成像素电极层，并对像素电极层进行图形化形成像素电极22；然后，形成反射层，并对反射层进行图形化形成反射电极23。形成像素电极22和反射电极23分别为第七道和第八道掩膜工艺。

现有技术的反射式显示器的生产工艺为了形成凸起24和通孔25，需要对有机膜层33进行两次曝光、一次显影，与其他模式的显示器相比，两次曝光耗费较长的生产时间；而且，形成通孔的第二曝光的光线的扫描速度为20mm/sec，20mm/sec的曝光扫描速度太慢，严重影响了生产效率，产率仅为其他模式显示器的1/6。

为了提高产率，一些工厂尝试使用半灰调掩膜版(halftone mask)，用一张掩膜版来形成凸起和通孔，可以仅利用一次曝光和一次显影工艺。与以上所述的八道掩膜工艺相比，利用半灰调掩膜版不仅节省了一道掩膜版，而且仅使用一次曝光过程。然而，为了形成通孔图形，曝光扫描速度仍然必须保持在20mm/sec，20mm/sec的曝光扫描速度太慢。同时，半灰调工艺不稳定，而且制造半灰调掩膜版的成本高。因此利用半灰调掩膜版不能节省成本、提高产率。

而且，现有技术的半反半透式显示器反射区的生产工艺也同样存在以上问题。

发明内容

本发明解决的问题是现有技术用于反射式或半反半透式显示器的TFT阵列基板的形成方法，产率低、成本高。

为解决上述问题，本发明提供一种形成TFT阵列基板的方法，包括：

步骤1：提供基板，在所述基板上形成TFT开关、数据线、扫描线、公共电极和钝化层；

步骤2：在所述钝化层上形成有机膜层；

步骤3：利用具有通孔定位孔图形和凹槽图形的掩膜版对所述有机膜层进行曝光和显影，形成通孔定位孔和多个凹槽；

步骤4：刻蚀所述通孔定位孔底部的有机膜层和钝化层形成通孔，所述通孔暴露出TFT开关的漏极；

步骤5：依次形成像素电极和反射电极，覆盖所述图形化后的有机膜层、凹槽的侧壁和底部、通孔的侧壁和底部。