[发明专利]中红外激光器

权利要求书

1.一种中红外激光器，包括半导体激光器(101)，沿该半导体激光器(101)的激光输出方向依次是光束整形及耦合系统(102)、输入腔镜(103)、激光晶体(104)、声光调Q开关(105)、输出腔镜(108)、滤波片(109)、隔离器(110)、半波片(111)、聚焦透镜(112)、OPO入射腔镜(113)、非线性晶体(114)和OPO输出腔镜(115)，其特征在于：

所述的激光晶体(104)为Tm:YLF晶体，所述的输入腔镜(103)为平面镜且两面镀有对790nm光高透，对1907nm光高反的介质膜，所述的输出腔镜(108)为凹面镜，其凹面镀有对1907nm部分反射的介质膜，在所述的输入腔镜(103)和所述的输出腔镜(108)之间设有厚标准具(106)和薄标准具(107)，所述的光束整形及耦合系统(102)将半导体激光器(101)输出的激光光束聚焦在所述的Tm:YLF晶体(104)内部，所述的非线性晶体(114)是掺MgO的PPLN，该MgO的PPLN的中心位于所述的聚焦透镜(112)的焦点上。

2.根据权利要求1所述的中红外激光器，其特征在于所述的Tm:YLF晶体(104)中的Tm离子的掺杂浓度的原子数比为2～3.5％，其两端都镀有对1907nm的高透介质膜；所述的Tm:YLF晶体(104)在工作时通过铜块传导冷却的方式控制温度为16℃，所述的声光Q开关(105)两端面镀有对1907nm的高透介质膜，且在1907nm波长的衍射损耗为不低于55％。

3.根据权利要求1所述的中红外激光器，其特征在于所述的厚标准具(106)为不镀膜且厚度为1mm的石英平片，所述的薄标准具(107)为不镀膜且厚度为0.1mm的石英平片，所述的厚标准具(106)和薄标准具(107)具有旋转机构。

4.根据权利要求1所述的中红外激光器，其特征在于所述的隔离器(110)对1907nm激光的隔离度不小于20dB，所述的滤波片(109)对1907nm激光高透，对790nm激光高反。

5.根据权利要求1所述的中红外激光器，其特征在于所述的旋转半波片(111)具有旋转机构，可以改变出射的线偏振的1907.5nm激光的偏振方向。

6.根据权利要求1所述的中红外激光器，其特征在于所述的聚焦透镜(112)对1907.5nm激光高透。

7.根据权利要求1至6任一项所述的中红外激光器，其特征在于所述的掺MgO的PPLN(114)中MgO的浓度为5％，且极化周期均匀分布，所述的OPO入射腔镜(113)对1.9μm激光高透，对3～5μm激光高反；所述的OPO输出腔镜(115)对1.9μm激光高反，对3～5μm激光部分透过。