[发明专利]共平面三轴定位装置有效
申请号: | 201110451213.2 | 申请日: | 2011-12-23 |
公开(公告)号: | CN103137532A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 刘冠志;洪国凯 | 申请(专利权)人: | 财团法人金属工业研究发展中心 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;B65G49/06 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平面 定位 装置 | ||
1.一种共平面三轴定位装置,其特征在于,其是包含:
一固定平台,具有一第一侧边及二第二侧边,该二第二侧边相对应,并分别与该第一侧边的两端相邻及正交,该固定平台设有一第一驱动模块及二第二驱动模块,该第一驱动模块设置于该第一侧边,该二驱动模块分别设置于该二第二侧边;以及
一定位模块,是包含:
一定位平台,位于该固定平台上,并具有一第一侧面及二第二侧面,该第一侧面对应该固定平台的该第一侧边,该二第二侧面对应该固定平台的该二第二侧边;
一第一驱动轴,其一端设置于该定位平台的该第一侧面,其另一端滑设于该第一驱动模块;以及
二第二驱动轴,其一端分别设置于该定位平台的该二第二侧面,其另一端分别滑设于该第二驱动模块,该二第二驱动轴与该第一驱动轴相互垂直;
其中该定位平台是承载一工件,该第一驱动模块及该二第二驱动模块驱动该第一驱动轴及该二第二驱动轴,带动该定位平台于同一平面上作一第一方向、一第二方向或一第三方向的运动,以定位该工件。
2.如权利要求1所述的共平面三轴定位装置,其特征在于,其中该第一驱动模块是包含:
一滑轨,设置于该固定平台的该第一侧边;
一滑动件,滑设于该滑轨;
一轴承,设置于该滑动件,并供该第一驱动轴滑设;以及
一驱动装置,驱动该滑动件滑动于该滑轨,且带动该第一驱动轴,该第一驱动轴滑动于该轴承及/或带动该轴承旋转于该滑动件。
3.如权利要求1所述的共平面三轴定位装置,其特征在于,其中该第二驱动模块是包含:
一滑轨,设置于该固定平台的该第二侧边;
一滑动件,滑设于该滑轨;
一轴承,设置于该滑动件,并供该第二驱动轴滑设;以及
一驱动装置,驱动该滑动件滑动于该滑轨,且带动该第二驱动轴,该第二驱动轴滑动于该轴承及/或带动该轴承旋转于该滑动件。
4.如权利要求2或3所述的共平面三轴定位装置,其特征在于,其中该驱动装置为一马达或一压电材料。
5.如权利要求2或3所述的共平面三轴定位装置,其特征在于,更包含:
一测量装置,设置于该滑轨的一侧,以测量该滑动件的位置,其中该测量装置为一光学尺。
6.如权利要求2或3所述的共平面三轴定位装置,其特征在于,更包含:
一旋转轴,设置于该滑动件与该轴承之间;以及
一旋转轴承,设置该旋转轴,并位于该滑动件与该轴承之间。
7.如权利要求1所述的共平面三轴定位装置,其特征在于,其中该定位平台更设有:
复数气沟,设置于该定位平台与该工件接触的表面并向下延伸,且不穿过该定位平台与该固定平台接触的表面;以及
至少一抽气口,设置于该定位平台的一侧面,并与该些气沟连通,该些气沟内的一气体是从该抽气口排出,该工件被吸附于该定位平台上。
8.如权利要求1所述的共平面三轴定位装置,其特征在于,其中该定位平台更设有:
复数气沟,设置于该定位平台与该固定平台接触的表面并向上延伸,且不穿过该定位平台与该工件接触的表面;以及
至少一进气口,设置于该定位平台的一侧面,并与该些气沟连通,该进气口提供一气体至该些气沟,使该定位平台浮于该固定平台上方。
9.如权利要求1所述的共平面三轴定位装置,其特征在于,其中该定位平台更设有:
复数第一气沟,设置于该定位平台与该工件接触的表面并向下延伸,且不穿过该定位平台与该固定平台接触的表面;
至少一抽气口,设置于该定位平台的一侧面,并与该些第一气沟连通,该些第一气沟内的一第一气体是从该抽气口排出,该工件被吸附于该定位平台上;
复数第二气沟,设置于该定位平台与该固定平台接触的表面并向上延伸,并不穿过该定位平台与该工件接触的表面;以及
至少一进气口,设置于该定位平台的一侧面,并与该些第二气沟连通,该进气口提供一第二气体至该些第二气沟,使该定位平台浮于该固定平台上方。
10.如权利要求1、2或3所述的共平面三轴定位装置,其特征在于,更包含:
一补强结构,包含二连接杆,该二连接杆分别连接于该第一驱动轴与该二第二驱动轴之间。
11.如权利要求10所述的共平面三轴定位装置,其特征在于,其中该补强结构更包含:
三连接块,分别设置于该第一驱动轴及该二第二驱动轴的末端,该连接杆连接相邻的该二连接块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造