[发明专利]一种采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法

权利要求书

1.一种采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法，其特征是含以下工序：选取晶体硅片，进行有机硅烷吸附在晶体硅片表面形成硅烷薄膜，接着采用激光局部烧蚀并去除晶体硅片表面的硅烷薄膜，并在激光烧蚀后的区域进行金属电极沉积，最后除去非电极部位的硅烷薄膜，制备获得太阳能电池的金属电极。

2.根据权利要求1所述的采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法，其特征是： 所述晶体硅片为单晶硅片或多晶硅片。

3.根据权利要求1或2所述的采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法，其特征是：所述晶体硅片进行有机硅烷吸附前后经清洗处理。

4.根据权利要求3所述的采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法，其特征是：清洗时采用的试剂包括乙醇、丙酮、三氯乙烯、松油醇、甲醇、己烷、辛烷、氢氟酸、硝酸、硫酸、盐酸、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸氢钠和碳酸钠中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法，其特征是：所述有机硅烷吸附采用浸渍方式或喷涂方式。

6.根据权利要求5所述的采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法，其特征是：采用有机硅烷溶液进行有机硅烷吸附，所述有机硅烷溶液指将十二烷基三氯硅烷溶于己烷或辛烷中制成的有机硅烷溶液，所述十二烷基三氯硅烷与己烷或辛烷的体积比为(0.1~5):100。

7.根据权利要求6所述的采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法，其特征是：所述有机硅烷吸附采用浸渍方式时，将晶体硅片浸入有机硅烷溶液中，在常温和密闭条件下浸泡0.5~10小时。

8.根据权利要求1所述的采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法，其特征是：金属电极沉积时采用的电镀液包括银电镀液、金电镀液、铝电镀液、镍电镀液和铜电镀液中的一种或几种。

9.根据权利要求1所述的采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法，其特征是：采用有机溶剂除去非电极部位的硅烷薄膜，所述有机溶剂包括己烷、辛烷、丙酮和三氯乙烯中的一种或几种。