[发明专利]一次性可编程存储单元及制造方法、半导体器件

权利要求书

1.一种一次性可编程存储单元，所述一次性可编程存储单元为MOS管组成，其特征在于，所述一次性可编程存储单元为MOS管组成，所述MOS管的源区上方覆盖隔离接触电极和源区的保留掩蔽层，所述保留掩蔽层用于编程时使所述接触电极和所述源区之间产生击穿。

2.根据权利要求1所述的一次性可编程存储单元，其特征在于，所述保留掩蔽层的厚度为30-60埃。

3.一种一次性可编程存储单元制造方法，包括：

步骤S1，提供半导体衬底，所述半导体衬底上已形成源区、漏区和栅极；

步骤S2，在所述半导体衬底上形成掩蔽层；

步骤S3，利用所述掩蔽层作为所述源区的掩膜，通过光刻露出所述漏区和所述栅极；

步骤S4，蚀刻所述源区上的所述掩蔽层并控制蚀刻的厚度，使一部分厚度的所述掩蔽层不被刻蚀，形成保留掩蔽层。

4.根据权利要求3所述的一次性可编程存储单元制造方法，其特征在于，所述栅极包括侧墙介质层，在所述步骤s3中，使靠近所述源区一侧的侧墙介质层不被刻蚀。

5.根据权利要求3所述的一次性可编程存储单元制造方法，其特征在于，所述掩蔽层的厚度为300-500埃。

6.根据权利要求3所述的一次性可编程存储单元制造方法，其特征在于，所述保留掩蔽层的厚度为30-60埃。

7.根据权利要求3所述的一次性可编程存储单元制造方法，其特征在于，所述掩蔽层为氧化层。

8.根据权利要求3所述的一次性可编程存储单元制造方法，其特征在于，在步骤S4之后，还包括：

步骤S5，在所述保留掩蔽层上形成接触电极。

9.一种半导体器件，包括逻辑单元和一次性可编程存储单元，其特征在于，所述逻辑单元和所述一次性可编程存储单元集成在同一芯片上，所述一次性可编程存储单元为MOS管组成，所述MOS管的源区上方覆盖隔离接触电极和源区的保留掩蔽层，所述保留掩蔽层用于编程时使所述接触电极和所述源区之间产生击穿。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述保留掩蔽层的厚度为30-60埃。