[发明专利]一种在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法无效
| 申请号： | 201110449965.5 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103187264A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 王兆祥;杜若昕;刘俊良;刘志强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 刻蚀 室内 氧化 方法 | ||
1.一种在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法，其特征在于：所述的氧化硅层位于光刻胶掩膜层下方，厚度小于100纳米；
所述的等离子体刻蚀室包括一上电极和一下电极，所述的下电极上设置一静电吸盘，所述静电吸盘上放置待处理晶片；
所述下电极连接一射频电源，所述射频电源的频率为小于27兆赫兹，功率小于1000瓦；
所述等离子体刻蚀室内反应气体中氟碳化合物和氧化物含量的比例范围为1∶3-10∶1。
2.根据权利要求1所述的在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法，其特征在于：所述的下电极连接的射频功率频率为13.56兆赫兹。
3.根据权利要求1所述的在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法，其特征在于：所述等离子体刻蚀室内还包括氩气，所述氩气进入等离子体刻蚀室的流速为200-2000sccm。
4.根据权利要求1所述的在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法，其特征在于：所述等离子体刻蚀室内的气压小于100毫托。
5.根据权利要求1所述的在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法，其特征在于：所述的碳氟化合物包括CF4，所述CF4和氧化物含量范围比为1∶2-10∶1。
6.根据权利要求1所述的在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法，其特征在于：所述的碳氟化合物包括C4F8，所述C4F8和氧化物含量范围比为1∶3-2∶1。
7.根据权利要求1所述的在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法，其特征在于：所述的等离子体刻蚀室内的刻蚀速率低于1500埃/分钟。
8.根据权利要求1所述的在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法，其特征在于：所述的等离子体刻蚀室内的刻蚀速率为500埃/分钟。
9.根据权利要求1所述的在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法，其特征在于：所述的等离子体刻蚀室内的刻蚀速率为200埃/分钟。
10.根据权利要求1所述的在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法，其特征在于：所述刻蚀氧化硅层的方法进一步包括刻蚀完氧化硅层后去除光刻胶掩膜层的步骤，所需反应气体主要为含氧气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
