[发明专利]一种加热装置、加热方法及半导体加工设备

权利要求书

1.一种加热装置，包括感应线圈和与所述感应线圈连接的功率源，其特征在于，所述感应线圈包括三个以上纵向同轴且间隔放置的子线圈，在所述感应线圈与所述功率源之间设有用于调节所述子线圈输出功率的功率调节器，以调节所述感应线圈的端部和中部的电流。

2.根据权利要求1所述加热装置，其特征在于，所述功率调节器包括功率调节网络、驱动装置以及控制器，其中，所述控制器用于提供所述子线圈的功率调节量；所述驱动装置根据所述功率调节量提供相应的驱动力；所述功率调节网络对所述子线圈的功率进行调节。

3.根据权利要求2所述加热装置，其特征在于，所述功率调节网络包括两个输出端，其中一个输出端与位于所述感应线圈中部的所述子线圈连接，另一个输出端与位于所述感应线圈端部的所述子线圈连接。

4.根据权利要求2所述加热装置，其特征在于，所述功率调节网络包括与所述子线圈数量对应的输出端，每个所述输出端分别与一所述子线圈连接，所述功率调节网络对所述子线圈进行单独控制。

5.根据权利要求2-4任意一项所述加热装置，其特征在于，所述功率调节网络由可变电容或可变电感组成。

6.一种加热方法，其特征在于，包括以下步骤：

将三个以上子线圈纵向同轴且间隔放置在一起，从而获得感应线圈；

调节所述子线圈的输出功率，以调节所述感应线圈的端部和中部的电流。

7.根据权利要求6所述加热方法，其特征在于，调节所述子线圈的输出功率的步骤包括：

获取感应线圈中所述子线圈的功率调节量；

将所述子线圈的功率调节量传输至驱动装置；

所述驱动装置根据所述子线圈的功率调节量调节所述子线圈的输出功率。

8.根据权利要求7所述加热方法，其特征在于，所述子线圈的功率调节量通过以下方式获得：

获得所述子线圈对应位置处的当前温度；

根据所述当前温度获得该子线圈的功率调节量。

9.根据权利要求6-8任意一项所述加热方法，其特征在于，通过可变电容或可变电感实现对所述子线圈的功率调节。

10.一种半导体加工设备，包括反应腔室，在所述反应腔室内设有用于承载被加工工件的托盘，在反应腔室的外侧设有加热装置，其特征在于，所述加热装置采用权利要求1-5任意一项所述的加热装置。

11.根据权利要求10所述的半导体加工设备，其特征在于，包括温度传感器和监测装置，所述温度传感器用于监测被加工工件的温度；所述监测装置的输入端与所述温度传感器连接，所述监测装置的输出端与所述控制器连接，所述监测装置用于根据所述温度传感器的监测值向所述控制器发出功率调节指令，所述控制器根据所述功率调节指令获得所述子线圈的功率调节量。