[发明专利]圆片级封装结构中的重布线层的制备方法及形成的结构无效
申请号: | 201110448249.5 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN103187312A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 朱春生;罗乐;徐高卫;宁文果 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 圆片级 封装 结构 中的 布线 制备 方法 形成 | ||
1.一种基于介质薄膜来制备圆片级封装结构中的重布线层的方法,其特征在于,所述方法至少包括步骤:
1)将预制的介质薄膜黏贴在已涂覆粘接剂的待封装的圆片表面;
2)基于所述待封装的圆片表面的电气连接点的数量在所述介质薄膜表面制作重布线导线层,形成相应数量的相互隔离的导电区域,且使每一个导电区域电气连接一个电气连接点;
所述方法还包括步骤:
-在每一个导电区域表面形成一个导电凸点。
2.根据权利要求1所述的基于介质薄膜来制备圆片级封装结构中的重布线层的方法,其特征在于还包括:
3)将又一预制的介质薄膜黏贴在已涂覆粘接剂且已形成导电区域的结构表面;
4)基于所述已形成导电区域的结构表面的导电区域的数量,在所述又一介质薄膜表面制作重布线导线层,形成相应数量的相互隔离的导电区域,且使所述又一介质薄膜相对两面的导电区域形成对应电气连接。
3.根据权利要求2所述的基于介质薄膜来制备圆片级封装结构中的重布线层的方法,其特征在于还包括:基于已形成的结构至少一次重复步骤3)及4)。
4.根据权利要求1至3任一项所述的基于介质薄膜来制备圆片级封装结构中的重布线层的方法,其特征在于:预制的介质薄膜包括具有电子元器件结构的介质薄膜。
5.根据权利要求1至3任一项所述的基于介质薄膜来制备圆片级封装结构中的重布线层的方法,其特征在于:预制的介质薄膜的材质包括BCB或聚酰亚胺(PI)。
6.一种圆片级封装结构,其特征在于包括:
表面包含至少一个电气连接点待封装的圆片;
涂覆在所述待封装的圆片表面的粘接剂层;
粘附在所述粘接剂层表面的介质薄膜层;
形成在所述介质薄膜层表面的导线层,其至少包括一个导电区域,且每一导电区域电气连接一个电气连接点;
形成在每一个导电区域表面的导电凸点。
7.根据权利要求6所述的圆片级封装结构,其特征在于:所述介质薄膜层包括由粘接剂层、介质薄膜层及重布线导线层形成的多层结构。
8.根据权利要求6或7所述的圆片级封装结构,其特征在于:所述介质薄膜层包括具有电子元器件结构的介质薄膜层。
9.根据权利要求6或7所述的圆片级封装结构,其特征在于:介质薄膜层的材质包括BCB或聚酰亚胺(PI)。
10.根据权利要求6或7所述的圆片级封装结构,其特征在于:带封装圆片表面的电气连接点包括但不局限于焊盘。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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