[发明专利]一种晶圆良率分析方法有效
申请号: | 201110447556.1 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN103187329A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 陈灵 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮;李辰 |
地址: | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆良率 分析 方法 | ||
1.一种晶圆良率分析方法,用于统计一包括多个晶格的晶圆上,合格晶粒所占的比重,其特征在于包括步骤:
建立一工艺缺陷种类和致死率的数据库,记录于一纯文本文件中;
调取各个测试基站中获得的缺陷数量,判断并统计各种工艺缺陷的种类和对应的数量;
将上述统计得到的各种工艺缺陷的数量导入到所述纯文本文件中,得到各种工艺缺陷的数量和致死率数据表格;
耦合上述各种工艺缺陷的数量和致死率,得到每种工艺缺陷引起的损失率;
将上述各个工艺缺陷引起的损失率求和,并换算成晶圆的总良率,该总良率即为晶圆良率。
2.如权利要求1所述的晶圆良率分析方法,其特征在于:所述纯文本文件为逗号区分文件。
3.如权利要求2所述的晶圆良率分析方法,其特征在于:所述逗号区分文件中第一栏为工艺种类、第二栏为缺陷种类、第三栏为各缺陷种类对应的致命率数据。
4.如权利要求1所述的晶圆良率分析方法,其特征在于:所述各个测试基站设置于主要层次的工艺之后,该主要层次包括:场氧化物、源漏光刻、源漏掺杂、栅区光刻、栅氧化、接触孔光刻、金属层沉积、金属层光刻、合金金属层、钝化层沉积、钝化层光刻。
5.如权利要求1所述的晶圆良率分析方法,其特征在于:所述纯文本文件具有自带的统计功能,所述耦合各种工艺缺陷的数量和致死率的步骤是通过该纯文本文件的统计功能实现。
6.如权利要求1所述的晶圆良率分析方法,其特征在于:所述纯文本文件具有自带的统计功能,所述将各个工艺缺陷引起的损失率求和的步骤是通过该纯文本文件的统计功能实现。
7.如权利要求1所述的晶圆良率分析方法,其特征在于:在得到每种工艺缺陷引起的损失率之后,还包括将各个损失率描绘成具有分析意义的图表,以分析对良率产生影响的工艺。
8.如权利要求7所述的晶圆良率分析方法,其特征在于:所述具有分析意义的图表为柱状图、饼图或曲线图中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造