[发明专利]等离子体处理装置及聚焦环组件

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

处理腔室；

设置在所述处理腔室内的基座；

设置在所述基座上方的适于吸附半导体晶片的静电吸盘；

设置在所述基座上并环绕所述静电吸盘的聚焦环组件，其包括呈环形的第一聚焦环、第二聚焦环，所述第一聚焦环内设有凹槽，所述第二聚焦环位于所述凹槽内，所述聚焦环组件的一部分位于半导体晶片下方，另一部分环绕在半导体晶片的周围，所述第二聚焦环的内径小于或等于半导体晶片的直径，所述第二聚焦环的外径大于半导体晶片的直径，使所述第二聚焦环位于半导体晶片下方。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二聚焦环的材料全部为石英，或者第二聚焦环的表面材料为石英。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括耦合环，所述耦合环设置在所述基座上并环绕在基座的周围，所述聚焦环组件位于所述耦合环上。

4.一种聚焦环组件，其特征在于，包括呈环形的第一聚焦环、第二聚焦环，所述第一聚焦环内设有凹槽，所述第二聚焦环位于所述凹槽内，所述聚焦环组件的一部分适于位于半导体晶片下方，另一部分适于环绕在半导体晶片的周围，所述第二聚焦环的内径适于小于或等于半导体晶片的直径，所述第二聚焦环的外径适于大于半导体晶片的直径，使所述第二聚焦环适于位于半导体晶片下方。

5.根据权利要求4所述的聚焦环组件，其特征在于，所述第二聚焦环的材料全部为石英，或者第二聚焦环的表面材料为石英。