[发明专利]一种电流镜像电路有效
申请号: | 201110446787.0 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN103186161A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 张立国;蔡新午;赵骞;潘文杰;周建波 | 申请(专利权)人: | 国民技术股份有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 薛祥辉 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电流 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种电流镜像电路。
背景技术
在IC设计中,为了给电路提供偏置,常常使用电流源镜像电路,请参见错误!未找到引用源。和图2,其中图1所示为镜像电流源偏置差分电路,图2所示为镜像电流源偏置单端电路。图1和图2所示的镜像电路部分M2和M1请参见图3,理论上流过图1和图2中的M2和M1的源漏电流应成比例n/m。但是M1和M2的源漏电流Ids不仅仅与栅极和源极之间的电压Vgs有关系,还与漏极和源极之间的电压Vds有关,具体如下:
其中,μn为MOS管的迁移率常数,Cox为MOS管的栅氧电容常数,W/L是MOS管的宽度与长度之比,λ=ΔL/L,Vth为开启电压,由上可知,MOS管的L值越大,受Vds的影响越小,当MOS管在一定的尺寸范围内可以忽略Vds对Ids的影响,但随着工艺的进步当MOS管的栅长进入纳米级别之后,Vds对Ids的影响则不能忽略了,此时由于Vds对Ids的影响,会导致图1-图3所示的电流镜像电路中的M2和M1的源漏电流之比不是n/m,即导致图1-图3中所示的电流源镜像电路的偏置电流不准的情况发生。
发明内容
本发明要解决的主要技术问题是,提供一种电流镜像电路,避免由于组成镜像电路的元器件的尺寸的影响,导致电流源镜像电路的偏置电流不准的情况发生。
为解决上述技术问题,本发明提供一种电流镜像电路,包括偏置电路和工作电路,所述偏置电路包括电流源子电路和与所述电流源子电路的输出端连接的电流镜源端子电路,所述工作电路包括电流镜镜像端子电路,所述电流镜源端子电路的输出端与所述电流镜镜像端子电路的输入端连接,所述电流镜像电路还包括电压复制电路和放大电路;所述电压复制电路用于复制所述电流镜镜像端子电路的输出端电压,其输出端与所述放大电路的第一输入端连接;所述放大电路的第二输入端连接所述电源子电路的输出端,所述放大电路的输出端作为所述第一输入端的负反馈连接所述电流镜源端子电路的输出端。
在本发明的一种实施例中,所述电流镜像电路还包括低通滤波电路,所述低通滤波电路连接在所述电流镜源端子电路的输出端和所述电流镜镜像端子电路的输入端之间。
在本发明的一种实施例中,所述工作电路还包括负载子电路,所述电流镜镜像端子电路的输出端连接所述负载子电路;所述电流镜镜像端子电路的输入信号叠加在所述低通滤波器电路的输出电压信号上输入所述电流镜镜像端子电路。
在本发明的一种实施例中,所述电流镜源端子电路与所述电流镜镜像端子电路之间的镜像为n∶m镜像,所述n为电流镜源端子电路所包括的源端镜像支路的个数,所述m为电流镜镜像端子电路所包括的镜像端镜像支路的个数。
在本发明的一种实施例中,所述电流镜源端子电路和所述电流镜镜像端子电路为PMOS管电路或NMOS管电路。
在本发明的一种实施例中,所述电压复制电路为直流电压复制电路。
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