[发明专利]发光装置及其制造方法、透明导电膜的形成方法及电子设备

权利要求书

1.一种发光装置，其具有形成于基板上并由多个III-V族化合物半导体层构成的层叠结构，该发光装置的特征在于，具有：

构成该层叠结构的GaN层；

形成于该GaN层上的透明导电膜；

该GaN层中，相对于存在于其表面的全部元素的比例总和，其表面的碳原子的比例为10％～30％。

2.一种发光装置，其具有形成于基板上并由多个III-V族化合物半导体层构成的层叠结构，该发光装置的特征在于，具有：

构成该层叠结构的GaN层；

形成于该GaN层上的透明导电膜；

该GaN层中，相对于存在于其表面的全部元素的比例总和，其表面的氧原子的比例为10％～25％。

3.一种发光装置，其具有形成于基板上并由多个III-V族化合物半导体层构成的层叠结构，该发光装置的特征在于，具有：

构成该层叠结构的GaN层；

形成于该GaN层上的透明导电膜；

该GaN层形成为，其表面粗糙度以作为形态指标的中心线平均粗糙度Ra表示时，处于0.35nm～0.45nm的范围内。

4.一种发光装置，其具有形成于基板上并由多个III-V族化合物半导体层构成的层叠结构，该发光装置的特征在于，具有：

构成该层叠结构的GaN层；

形成于该GaN层上的透明导电膜；

该GaN层形成为，其表面粗糙度以作为形态指标的均方根粗糙度RMS表示时，处于0.45nm～0.6nm的范围内。

5.如权利要求1至4中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述GaN层是p型GaN层。

6.如权利要求1至4中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述透明导电膜是由氧化铟锡构成的ITO膜。

7.一种透明导电膜的形成方法，其是在外延生长于基底半导体层上的GaN层上形成透明导电膜的方法，所述透明导电膜的形成方法的特征在于，包括：

在该基底半导体层上使该GaN层生长后，对该GaN层进行清洗处理的工序，以满足以下条件中至少一个条件：相对存在于GaN层表面的全部元素的比例总和，该表面的碳原子的比例为10％～30％，或者相对于存在于GaN层表面的全部元素的比例总和，该表面的氧原子的比例为10％～25％；

在该清洗处理后，干燥该GaN层的工序。

8.如权利要求7所述的透明导电膜的形成方法，其特征在于，包含：在外延生长所述GaN层后，对该GaN层进行退火处理的工序。

9.如权利要求8所述的透明导电膜的形成方法，其特征在于，

干燥所述GaN层的工序是通过对该GaN层吹送大气中的N₂而对其进行干燥的工序。

10.如权利要求8所述的透明导电膜的形成方法，其特征在于，

干燥所述GaN层的工序是利用异丙醇对该GaN层进行干燥的工序。

11.一种透明导电膜的形成方法，其是在外延生长于基底半导体层上的GaN层上形成透明导电膜的方法，所述透明导电膜的形成方法的特征在于，包括：

在该基底半导体层上生长该GaN层后，对该GaN层进行清洗处理的工序，以满足以下条件中至少一个条件：使GaN的表面粗糙度以作为形态指标的中心线平均粗糙度Ra表示时处于0.35nm～0.45nm的范围内，或者使表面粗糙度以作为形态指标的均方根粗糙度RMS表示时处于0.45nm～0.6nm的范围内；

在该清洗处理后，干燥该GaN层的工序。