[发明专利]超高压BCD工艺中的LDMOS结构无效
| 申请号： | 201110445995.9 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102496627A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强;邵凯;陈雪萌;永福;杨海波 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/49 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超高压 bcd 工艺 中的 ldmos 结构 | ||
1.一种超高压BCD工艺中的LDMOS结构(100)，位于P-衬底(101)上的N-外延层(102)中，其包括：
第一高压P型体区(103)，位于所述N-外延层(102)表面；
两个高压N+注入区(104)，分别位于所述第一高压P型体区(103)中和所述LDMOS结构(100)的漏极位置处；
栅氧化层和多晶硅栅极(105)，位于所述N-外延层(102)上表面，与所述第一高压P型体区(103)相连接；
层间介质层(106)，覆盖所述N-外延层(102)的上表面，并在所述LDMOS结构(100)的源极、漏极和所述多晶硅栅极(105)位置处留出窗口；
源极金属场板(107)，位于所述层间介质层(106)上并且透过源极窗口与所述第一高压P型体区(103)短接；
漏极金属场板(108)，位于所述层间介质层(106)上并且透过漏极窗口与所述LDMOS结构(100)的漏极连接；以及
栅极金属场板(109)，位于所述层间介质层(106)上并且透过栅极窗口与所述多晶硅栅极(105)连接。
2.根据权利要求1所述的LDMOS结构(100)，其特征在于，所述LDMOS结构(100)周围包括：
P-表面环(201)，位于所述N-外延层(102)表面，穿过所述LDMOS结构(100)的源极和漏极之间。
3.根据权利要求2所述的LDMOS结构(100)，其特征在于，所述P-表面环(201)的个数为1～3个。
4.根据权利要求3所述的LDMOS结构(100)，其特征在于，所述LDMOS结构(100)周围还包括：
第二高压P型体区(202)，位于所述N-外延层(102)表面、所述第一高压P型体区(103)的外侧；
深P+注入区(203)，位于所述N-外延层(102)中，与所述第二高压P型体区(202)部分重合；以及
P-埋层区(204)，位于所述深P+注入区(203)的下方，并与所述P-衬底(101)相接触，所述P-埋层区(204)和所述深P+注入区(203)形成PN结对通隔离。
5.根据权利要求4所述的LDMOS结构(100)，其特征在于，所述层间介质层(106)为一层或者多层金属互连的层间介质。
6.根据权利要求5所述的LDMOS结构(100)，其特征在于，所述层间介质层(106)为二氧化硅。
7.根据权利要求6所述的LDMOS结构(100)，其特征在于，所述栅极金属场板(109)为金属铝。
8.根据权利要求7所述的LDMOS结构(100)，其特征在于，所述金属铝的厚度为1μm以上。
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