[发明专利]薄膜沉积装置及其使用方法

权利要求书

1.一种薄膜沉积装置，用于对一基材进行一薄膜沉积制程，该薄膜沉积装置包含：

一预热腔，预热该基材；

一反应腔，自该预热腔接收预热后的该基材，加热至一工作温度范围进行薄膜沉积制程，完成薄膜沉积制程后，对该反应腔内的该基材进行冷却；

一冷却腔，自该反应腔接收该基材，进一步冷却该基材；以及

至少一传送模块，在该预热腔、该反应腔及该冷却腔之间传送该基材。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中该传送模块包含一缓冲室，该缓冲室各通过至少一独立阀门分别连接该预热腔、该反应腔与该冷却腔，该缓冲室设置至少一机械手臂，该机械手臂在该预热腔以及该反应腔之间传送薄膜沉积制程前的该基材，且在该反应腔以及该冷却腔之间传送薄膜沉积制程后的该基材。

3.根据权利要求2所述的薄膜沉积装置，其更包含一气体供给装置，连接于该预热腔、该缓冲室与该冷却腔，以供给至少一种惰性气体至该预热腔、该缓冲室与该冷却腔中。

4.根据权利要求3所述的薄膜沉积装置，其中当该至少一阀门被开启时，该缓冲室以及所有连接该缓冲室的腔室保持相同的气体氛围。

5.根据权利要求2所述的薄膜沉积装置，其中该预热腔、该缓冲室与该冷却腔中各设有至少一独立加热器。

6.根据权利要求5所述的薄膜沉积装置，其中当该至少一阀门被开启时，该缓冲室以及所有连接该缓冲室的腔室保持相同的温度。

7. 根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中该传送模块包含:

一第一缓冲室，各通过至少一个独立阀门分别连接该预热腔与该反应腔，该第一缓冲室设置一第一机械手臂，在该预热腔以及该反应腔之间传送薄膜沉积制程前的该基材；及

一第二缓冲室，各藉由另外至少一个独立阀门分别连接该反应腔与该冷却腔，该第二缓冲室设置一第二机械手臂，在该基材在该反应腔以及该冷却腔之间传送薄膜沉积制程后的该基材。

8.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置，其更包含一气体供给装置，连接于该预热腔、该第一缓冲室、该第二缓冲室与该冷却腔，以供给至少一种惰性气体至该预热腔、该第一缓冲室、该第二缓冲室与该冷却腔中。

9.根据权利要求8所述的薄膜沉积装置，其中当该至少一阀门被开启时，该缓冲室以及所有连接该缓冲室的腔室保持相同的气体氛围。

10.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置，其中该预热腔、该第一缓冲室、该第二缓冲室与该冷却腔中各设置至少一独立加热器。

11.根据权利要求10所述的薄膜沉积装置，其中当该些阀门被开启时，该缓冲室以及所有连接该缓冲室的腔室保持相同的温度。

12.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中该预热腔及该冷却腔是水平设置或堆栈设置。

13.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中该薄膜沉积装置是有机金属化学气相沉积装置，该薄膜沉积制程是有机金属化学气相沉积制程。

14.一种薄膜沉积装置的使用方法，该薄膜沉积装置的使用方法包含：

在一反应腔内，在一工作温度范围，对一基材进行一薄膜沉积制程；

对薄膜沉积制程后的该基材冷却至一第一温度范围；

调整一冷却腔与一传送模块至该第一温度范围；

藉由该传送模块自该反应腔传送薄膜沉积制程后的该基材至该冷却腔；以及

在该冷却腔内，冷取该薄膜沉积制程后的该基材至一第二温度范围。

15.根据权利要求14所述的薄膜沉积装置的使用方法，其更包含：

在一预热腔内，预热一薄膜沉积制程前的该基材至该第一温度范围；

调整该传送模块与该反应腔至该第一温度范围；以及

藉由该传送模块自该预热腔传送薄膜沉积制程前的该基材至该反应腔。

16.根据权利要求15所述的薄膜沉积装置的使用方法，其中在申请专利范围第15项所述的所有步骤完成后，重复专利范围第14项所述的所有步骤。

17.根据权利要求14所述的薄膜沉积装置的使用方法，其中该第一温度范围介于摄氏400度至600度之间。