[发明专利]有机发光二极管封装结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110444208.9 申请日: 2011-12-27
公开(公告)号: CN102447077A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 刘胜发;陈玉仙;邱宝贤;沈俊佑 申请(专利权)人: 福州华映视讯有限公司;中华映管股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350015 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明是有关于一种有机发光二极管封装结构及其制造方法,特别是有关于一种可阻绝水气及氧气的有机发光二极管封装结构及其制造方法。

背景技术

目前平面显示器因为厚度薄及重量轻,已广泛地运用在各种电子产品,作为娱乐及讯号显示接口。而在这些平面显示器中,有机发光二极管具有自发光、无视角限制、省电、高反应速度及全彩化等优点,使有机发光二极管有极大的应用潜力,可望成为下一代的平面显示器及平面光源照明。

但因为有机发光二极管的大部份组件(例如发光层)是有机的,故对空间中任何微量的氧气及水气特别敏感。氧气及水气会干扰及劣化发光层的组成材料,特别是其发光能力,而降低了显示质量及面板的使用期。

台湾专利证书号I313887揭示一种降低氧气及水气对有机发光二极管封装结构10的发光层劣化的情况,在此前案中,如图1所示,该有机发光二极管封装结构10包括二薄板,一面对观看者的前薄板11及一后薄板12,藉由前薄板11、后薄板12及封装胶材14之密闭,在三者之间定义有密闭空间17;一含复数个有机发光组件13的数组,该有机发光组件13能够发射光线,通过前薄板11;及多个吸收剂15位于该前薄板11的多个凹洞16内,该些凹洞16位于与密闭空间17接触的对应面的内面上,并分布在该些有机发光组件13之间。

但TWI313887所揭示的结构,由于封装胶材14阻水氧性差,且吸收剂15位于密闭空间17内,因此吸收剂15无法在水氧通过封装胶材14时的第一时间吸收水氧,吸收剂15只能等水氧进入密闭空间17后,吸收剂15才能进行吸收水氧。此时水氧可能已经干扰及劣化有机发光组件13,因此无法大幅延长有机发光二极管寿命。再者,由于吸收剂15位于前薄板11的多个凹洞16内的缘故,因此导致前薄板11较厚。

因此,便有需要提供一种有机发光二极管封装结构及其制造方法,能够解决前述的问题。

发明内容

本发明提供一种有机发光二极管封装结构的制造方法,包括下列步骤:形成一有机发光组件于一基板上;形成一挡墙于该基板上,其中该挡墙环设于该有机发光组件四周,该挡墙的材质选自钙金属、镁金属、铝金属、碳、锌金属、铬金属、锡金属、铅金属及铜金属所构成的群组的其中一者;形成一封装胶材于一盖板上;以及藉由该封装胶材将该盖板与该基板黏接,然后再将该封装胶材固化,其中该封装胶材环设于该有机发光组件四周,且该封装胶材及该挡墙皆位于该盖板与该基板之间,以密封该有机发光组件。该封装胶材内可混合有一吸收剂。

本发明另提供一种有机发光二极管封装结构,包括:一基板;一有机发光组件,其设置于该基板上;一封装胶材,其设置于该基板上,且环设于该有机发光组件四周;一挡墙,其亦环设于该有机发光组件四周,并设置于该封装胶材的一侧,该挡墙的材质选自钙金属、镁金属、铝金属、碳、锌金属、铬金属、锡金属、铅金属及铜金属所构成的群组的其中至少一者;以及一盖板,其设置于该有机发光组件上,并藉由该封装胶材将该盖板与该基板黏接,藉此该封装胶材及该金属挡墙皆位于该盖板与该基板之间,以密封该有机发光组件。

本发明另提供一种有机发光二极管封装结构,包括:一基板;一有机发光组件,其设置于该基板上;一封装胶材,其设置于该基板上,且环设于该有机发光组件四周;一吸收剂,其是混合于该封装胶材内,该吸收剂的材质是以选自钙金属、镁金属、铝金属、碳、锌金属、铬金属、锡金属、铅金属、铜金属、钙化合物、镁化合物、铝化合物、碳化合物、锌化合物、铬化合物、锡化合物、铅化合物及铜化合物所构成的群组的其中至少一者;以及一盖板,其设置于该有机发光组件上,藉由该封装胶材而将该盖板与该基板黏接,藉此该封装胶材位于该盖板与该基板之间,以密封该有机发光组件。

相较于现有技术,可知吸收剂须等水氧进入有机发光二极管封装结构内后,再进行吸收水氧。本发明由于该挡墙设置于该封装胶材的一侧,且该吸收剂位于封装胶材内,因此在水氧通过封装胶材时的第一时间该挡墙及吸收剂即可先吸收水氧,有效地阻挡水氧进入有机发光二极管封装结构内,避免水氧干扰及劣化有机发光组件,进而大幅延长发光二极管寿命。

为了让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显,下文将配合所附图示,作详细说明如下。

附图说明

图1为现有技术的有机发光二极管的结构的剖面示意图。

图2a到图2c为本发明的第ㄧ实施例的有机发光二极管的制造方法的剖面示意图。

图3为本发明的第二实施例的有机发光二极管的结构的剖面示意图。

图4为本发明的第三实施例的有机发光二极管的结构的剖面示意图。

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