[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，包括基板、设于该基板上的缓冲层、及设于该缓冲层上的磊晶结构，所述磊晶结构包括依次形成在所述缓冲层上的n型半导体层、发光层以及p型半导体层，其特征在于，该基板具有一与所述缓冲层接触的第一表面，该第一表面上形成有图案化结构，该n型半导体层具有一远离所述缓冲层的顶面，该顶面与该缓冲层的第一表面的距离为0.5-2.5μm。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：该顶面与该第一表面的距离为0.5-1.8μm。

3.如权利要求1或2任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述图案化结构由多个凸起所构成。

4.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述凸起呈圆弧状，直径为3μm。

5.如权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述凸起之间的距离为2μm。

6.一种发光二极管芯片的制造方法，包括以下步骤：

提供一基板，该基板具有一形成有图案化结构的第一表面；

在所述基板的第一表面上形成一缓冲层；

在该缓冲层上形成一n型半导体层，该n型半导体层远离缓冲层的顶面与所述第一表面的距离为0.5-2.5μm；

在该n型半导体层上依次形成发光层和p型半导体层。

7.如权利要求6所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：在该缓冲层上形成一n型半导体层的步骤可分为两步来实现：首先在该缓冲层上形成一3μm 厚的n型半导体层；然后蚀刻该n型半导体层，使得该n型半导体层远离缓冲层的顶面与所述第一表面的距离为0.5-2.5μm。

8.如权利要求7所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：蚀刻该n型半导体层步骤中，蚀刻后所述第一表面与所述顶面的距离为0.5-1.8μm。

9.如权利要求6至8任一项所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述图案化结构由多个凸起所构成。

10.如权利要求9所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述凸起呈圆弧状，直径为3μm。

11.如权利要求10所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述凸起之间的距离为2μm。