[发明专利]显示装置

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及显示装置，尤其涉及使用以塑料材质形成的基底膜的显示装置。

背景技术

近来，有效地利用不仅重量轻、抗冲击能力强，而且由如塑料等材质形成的基底膜(base film)而开发出了柔韧(flexible)的平板型显示装置。

柔韧的平板型显示装置包括：有机发光显示器件(organic light emitting diode display)、液晶显示器件(liquid crystal display)以及电泳显示器(electrophoretic display，简称为EPD)等。

另外，柔韧的平板型显示装置包括薄膜晶体管(thin film transistor)。在多种薄膜晶体管中，尤其是低温多晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT)具有优异的电子迁移率(carrier mobility)而可以适用于高速运行电路中并且还可以构成CMOS电路，从而得到了广泛的应用。

低温多晶硅薄膜晶体管包括把非晶硅膜结晶化而形成的多晶硅膜。结晶化非晶硅膜的方法有固相结晶化法(solid phase crystallization)、准分子激光再结晶法(excimer laser crystallization)以及使用金属催化剂的结晶化方法等。其中，由于使用激光的结晶化方法可以实施低温工序从而给基板带来的热影响相对较小，并且可以形成具有100cm²/Vs以上的相对高的电子迁移率的多晶硅膜，即具有优异特性的多晶硅膜，因此得到了广泛的应用。

然而，在由塑料材质形成的基底膜上使用激光来实施结晶化工序时，一部分透射多晶硅膜的激光被基底膜吸收，从而会导致基底膜发生劣化。这种基底膜的劣化不仅对产品的稳定性带来负面影响，而且引起基底膜被剥离的不良现象。

发明内容

本发明的实施例提供能够在塑料材质的基底膜上稳定地形成采用激光结晶化的活性层的显示装置。

根据本发明的实施例，显示装置包括：由塑料材质形成的基底膜；形成于所述基底膜上，由多晶硅膜所形成的活性层，所述多晶硅膜用激光将非晶硅膜结晶化而形成；形成于所述活性层和所述基底膜之间的阻挡层；以及设置于所述阻挡层和所述活性层之间的激光吸收层。

所述阻挡层可以包括多个无机膜。

所述显示装置还可以包括设置于所述激光吸收层和所述活性层之间的缓冲层。

根据本发明另一实施例，显示装置可以包括：由塑料材质形成的基底膜；形成于所述基底膜上，由多晶硅膜所形成的活性层，所述多晶硅膜所用激光将非晶硅膜结晶化而形成；形成于所述活性层和所述基底膜之间，并且包括多个无机膜的阻挡层；以及设置于所述阻挡层的所述多个无机膜之间的激光吸收层。

所述显示装置还可以包括设置于所述阻挡层和所述活性层之间的缓冲层。

在所述显示装置中，所述激光吸收层可以包括非晶硅膜。

所述活性层可以通过准分子激光退火(Excimer Laser Annealing，简称为ELA)而得以结晶化。

所述基底膜可以由包含聚酰亚胺(polyimide)的材质形成。

所述阻挡层可以是由氧化硅膜和氮化硅膜交替地层叠的结构。

所述缓冲层可以包括四乙基邻硅酸盐(tetra ethyl ortho silicate，简称为TEOS)膜、氮化硅膜、氧化硅膜以及氮氧化硅膜中的一种以上。

所述基底膜、所述阻挡层、所述激光吸收层以及所述活性层可以被形成为柔韧的(flexible)。

根据本发明的实施例，能够在显示装置的、塑料材质的基底膜上稳定地形成采用激光结晶化的活性层。

附图说明

图1为图示根据本发明第一实施例的显示装置的截面图；

图2为放大图示图1的一部分的截面图；

图3为图示根据本发明第二实施例的显示装置的截面图；

图4为放大图示图3的一部分的截面图。

附图标记说明

20：薄膜晶体管； 70：有机发光器件；

100：基底膜；101、102：显示装置；

110：阻挡层；120：缓冲层；

132：活性层；140：栅绝缘膜；

160：层间绝缘膜；190：像素限定膜；

200：激光吸收层；300：薄膜封装层。

具体实施方式