[发明专利]应用于高压升压型DC-DC转换器中的抗振铃电路有效
申请号: | 201110442833.X | 申请日: | 2011-12-24 |
公开(公告)号: | CN102437730A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 来新泉;叶强;李亚军;毛翔宇;张震 | 申请(专利权)人: | 西安启芯微电子有限公司 |
主分类号: | H02M1/44 | 分类号: | H02M1/44 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华 |
地址: | 710075 陕西省西安市高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 高压 升压 dc 转换器 中的 振铃 电路 | ||
1.一种应用于高压升压型DC-DC转换器中的抗振铃电路,包括控制电路、PMOS管M3和PMOS管M4,该PMOS管M3和M4的源极相连,输出电压VH连接到电平移位电路的输入端,漏极分别接电感的两端;控制电路的输出信号VC连接到高压PMOS管M3和M4的栅极,用于控制M3和M4的导通与截止,消除振铃;其特征在于:PMOS管M3和PMOS管M4均采用源极和漏极间耐压值大于12V的高压PMOS管;控制电路的输入端连接有电平移位电路,用于保证控制电路的输出信号VC逻辑高低变化的压差不超过5V,防止高压PMOS管M3和M4因源极和栅极的压差过大而击穿;
所述的电平移位电路,包括偏置电流源电路、漏极和源极间耐压值大于12V的高压NMOS管M5、两个高压PMOS管M8,M9和两个各极耐压值均小于5V的低压PMOS管M6、M7;该高压NMOS管M5的漏极接DC-DC的输出电压VOUT,栅极接高压PMOS管M3和M4源极的输出电压VH,源极与低压PMOS管M6、M7串联后连接到高压PMOS管M8的源极;高压PMOS管M8的栅极与高压PMOS管M9的栅极连接,高压PMOS管M9的漏极接零电平,源极输出电压VL,连接到控制电路;该偏置电流源电路有两个输出端,分别与高压PMOS管M8的漏极和高压PMOS管M9的源极相连,为这两个高压PMOS管提供恒定电流。
2.根据权利要求1所述的抗振铃电路,其特征在于所述的偏置电流源电路,包括电流源I1,电阻R,三个高压NMOS管M10、M11、M12,两个高压PMOS管M18、M19,三个各极耐压值均小于5V低压NMOS管M13、M14、M15和两个低压PMOS管M16、M17;
所述高压NMOS管M10与低压NMOS管M13串联连接,高压NMOS管M11与低压NMOS管M14串联连接;高压NMOS管M12与低压NMOS管M15串联连接;三个高压NMOS管M10、M11、M12的栅极相连,三个低压NMOS管M13、M14、M15的栅极相连,源极接零电平,构成共源共栅电流镜;高压NMOS管M12的漏极连接到高压PMOS管M8的漏极,为高压PMOS管M8提供恒定电流I2;
所述高压PMOS管M18与低压PMOS管M16串联连接,高压PMOS管M19与低压PMOS管M17串联连接;高压PMOS管M18与M19的栅极相连,低压PMOS管M16和M17的栅极相连,源极接DC-DC的输出电压VOUT,构成共源共栅电流镜;高压PMOS管M18的漏极连接到高压NMOS管M11的漏极,高压PMOS管M19的漏极连接到高压PMOS管M9的源极,为高压PMOS管M9提供恒定电流I3。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安启芯微电子有限公司,未经西安启芯微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110442833.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置