[发明专利]应用于高压升压型DC-DC转换器中的抗振铃电路有效

专利信息
申请号: 201110442833.X 申请日: 2011-12-24
公开(公告)号: CN102437730A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 来新泉;叶强;李亚军;毛翔宇;张震 申请(专利权)人: 西安启芯微电子有限公司
主分类号: H02M1/44 分类号: H02M1/44
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华
地址: 710075 陕西省西安市高*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 应用于 高压 升压 dc 转换器 中的 振铃 电路
【权利要求书】:

1.一种应用于高压升压型DC-DC转换器中的抗振铃电路,包括控制电路、PMOS管M3和PMOS管M4,该PMOS管M3和M4的源极相连,输出电压VH连接到电平移位电路的输入端,漏极分别接电感的两端;控制电路的输出信号VC连接到高压PMOS管M3和M4的栅极,用于控制M3和M4的导通与截止,消除振铃;其特征在于:PMOS管M3和PMOS管M4均采用源极和漏极间耐压值大于12V的高压PMOS管;控制电路的输入端连接有电平移位电路,用于保证控制电路的输出信号VC逻辑高低变化的压差不超过5V,防止高压PMOS管M3和M4因源极和栅极的压差过大而击穿;

所述的电平移位电路,包括偏置电流源电路、漏极和源极间耐压值大于12V的高压NMOS管M5、两个高压PMOS管M8,M9和两个各极耐压值均小于5V的低压PMOS管M6、M7;该高压NMOS管M5的漏极接DC-DC的输出电压VOUT,栅极接高压PMOS管M3和M4源极的输出电压VH,源极与低压PMOS管M6、M7串联后连接到高压PMOS管M8的源极;高压PMOS管M8的栅极与高压PMOS管M9的栅极连接,高压PMOS管M9的漏极接零电平,源极输出电压VL,连接到控制电路;该偏置电流源电路有两个输出端,分别与高压PMOS管M8的漏极和高压PMOS管M9的源极相连,为这两个高压PMOS管提供恒定电流。

2.根据权利要求1所述的抗振铃电路,其特征在于所述的偏置电流源电路,包括电流源I1,电阻R,三个高压NMOS管M10、M11、M12,两个高压PMOS管M18、M19,三个各极耐压值均小于5V低压NMOS管M13、M14、M15和两个低压PMOS管M16、M17

所述高压NMOS管M10与低压NMOS管M13串联连接,高压NMOS管M11与低压NMOS管M14串联连接;高压NMOS管M12与低压NMOS管M15串联连接;三个高压NMOS管M10、M11、M12的栅极相连,三个低压NMOS管M13、M14、M15的栅极相连,源极接零电平,构成共源共栅电流镜;高压NMOS管M12的漏极连接到高压PMOS管M8的漏极,为高压PMOS管M8提供恒定电流I2

所述高压PMOS管M18与低压PMOS管M16串联连接,高压PMOS管M19与低压PMOS管M17串联连接;高压PMOS管M18与M19的栅极相连,低压PMOS管M16和M17的栅极相连,源极接DC-DC的输出电压VOUT,构成共源共栅电流镜;高压PMOS管M18的漏极连接到高压NMOS管M11的漏极,高压PMOS管M19的漏极连接到高压PMOS管M9的源极,为高压PMOS管M9提供恒定电流I3

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安启芯微电子有限公司,未经西安启芯微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110442833.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top