[发明专利]磁存储器件及其制造方法、反应室

权利要求书

1.一种磁存储器件，其包括开关装置和连接到所述开关装置的MTJ单元，其中所述MTJ单元包括：

一连接到所述开关装置的下电极；和

依次堆叠在所述下电极上的一下磁层、一包含氟的隧穿膜、一上磁层和一盖帽层，

其中所述隧穿膜的氟分布在所述隧穿膜的表面层上，且

其中所述隧穿膜是单层。

2.如权利要求1所述的磁存储器件，其中所述下磁层包括依次堆叠的一缓冲膜、一AF膜和一SAF膜。

3.如权利要求1所述的磁存储器件，其中所述隧穿膜为含有氟的氧化铝膜。

4.一种用于制造包括开关装置和连接到所述开关装置的MTJ单元的磁存储器件的方法，该方法包括：

形成一下电极，该下电极在覆盖所述开关装置的层间绝缘层上与所述开关装置连接；

在所述下电极上形成一下磁层；

在所述下磁层上形成一金属膜；

氧化并氟化该金属膜；

在所述被氟氧化的金属膜上形成一上磁层和一盖帽层；以及

按照相反的顺序构图依次堆叠在下电极上的层。

5.如权利要求4所述的方法，其中金属膜通过具有预定厚度的铝膜形成。

6.如权利要求4所述的方法，其中氧化和氟化金属膜的工序包括：

将在其上形成金属膜的生成产品装入反应室，该反应室包括氧等离子体产生构件和氟源供应构件；以及

将氧等离子体和氟源供应到所述金属膜上。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述氟源供应构件为聚四氟乙烯环。

8.一种反应室，包括：

一工作台；

设置在所述工作台上方的氟源供应构件；以及

设置在所述氟源供应构件上方的氧等离子体生成构件，

其中该氟源供应构件设置在所述反应室内。

9.如权利要求8所述的反应室，其中所述氟源供应构件为聚四氟乙烯环。