[发明专利]移位寄存器

说明书

本申请要求于2011年4月21日提交的韩国专利申请No.10-2011-0037135的优先权，通过引用的方式将该韩国专利申请特此并入，如同在本文中进行全面阐述一样。

技术领域

本发明涉及移位寄存器，并且更具体地，涉及如下移位寄存器，在该移位寄存器中，防止来自置位节点处的电压的电荷的泄漏，从而使来自级的输出稳定。

背景技术

移位寄存器输出多个扫描脉冲，以便于顺序地驱动诸如液晶显示器的显示设备的选通线。为此，该移位寄存器在其中包括多个开关装置。可以采用氧化物半导体晶体管作为这种开关装置。

图1是例示基于温度的常规氧化物半导体晶体管的栅极电压与漏极电流之间的关系特性的视图。

对于在移位寄存器中使用的N型氧化物半导体晶体管而言，优选地，N型氧化物半导体晶体管的阈值电压具有正值。然而，随着温度的增加，氧化物半导体晶体管的阈值电压向负方向移动，如图1所示。因此，在移位寄存器的输出周期内必须截止的N型氧化物半导体晶体在高温下可能无法正常地截止，从而生成泄漏电流。该泄漏电流可能降低置位节点处的电压，导致无法正常地生成移位寄存器的输出的问题。

图2是例示基于常规氧化物半导体晶体管的阈值电压的变化的置位节点处的电压和扫描脉冲的电压的视图。

从图2(a)中可以看出，当氧化物半导体晶体管的阈值电压为-1时，置位节点处的电压由于该氧化物半导体晶体管的泄漏电流而快速地下降，使得作为移位寄存器的输出的扫描脉冲的电压也快速地下降。

此外，从图2(b)中可以看出，当氧化物半导体晶体管的阈值电压为-3时，该氧化物半导体晶体管的泄漏电流仍然会进一步增加，使得置位节点处的电压甚至无法上升，从而使得扫描脉冲根本无法生成。

发明内容

因此，本发明针对一种移位寄存器，该移位寄存器基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或者多个问题。

本发明的一个目的是提供一种移位寄存器，在该移位寄存器中，按照将供应到负责对置位节点进行放电的开关装置的栅极的放电电压保持为比供应到该开关装置的源极的放电电压更低的方式，来设置供应到所述栅极和所述源极的放电电压的电平，从而在输出周期内使所述开关装置完全截止，以便正常地生成扫描脉冲。

本发明的其它优点、目的及特征一部分将在以下的说明书中进行阐述，并且一部分对于本领域的技术人员来说将在研读以下内容后变得清楚，或者可以从本发明的实践获知。本发明的这些目的和其它优点可以通过在本书面描述及其权利要求书及附图中具体指出的结构来实现和获得。

为了实现这些目的和其它优点，并且根据本发明的目的，如这里所具体实施和广泛描述的，一种移位寄存器，该移位寄存器包括用于顺序地输出扫描脉冲的多个级，其中，所述级中的第n级(其中n是自然数)包括：节点控制器，该节点控制器用于控制节点处的电压；以及输出单元，该输出单元响应于所述节点处的所述电压，输出第一放电电压和所述扫描脉冲中相应的一个扫描脉冲中的任何一个，其中，所述节点包括置位节点和复位节点，其中，所述第n级的所述节点控制器包括：第一开关装置，该第一开关装置由供应到所述复位节点的电压控制，用于将第二放电电压供应到所述置位节点；以及反相器电路(inverter circuit)，该反相器电路由供应到所述置位节点的电压控制，用于将充电电压和第三放电电压中的任何一个供应到所述复位节点，其中，所述第三放电电压低于所述第二放电电压。

当与高逻辑值相对应的电压被供应到所述置位节点时，所述反相器电路可以将与低逻辑值相对应的所述第三放电电压供应到所述复位节点；当与低逻辑值相对应的电压被供应到所述置位节点时，所述反相器电路可以将与高逻辑值相对应的所述充电电压供应到所述复位节点。

所述反相器电路可以包括：第一反相开关装置，根据所述充电电压控制该第一反相开关装置，并且该第一反相开关装置连接在传输所述充电电压的充电电压线与所述复位节点之间；以及第二反相开关装置，根据所述置位节点处的电压控制该第二反相开关装置，并且该第二反相开关装置连接在所述复位节点与传输所述第三放电电压的第三放电电压线之间。

备选地，所述反相器电路可以包括：第一反相开关装置，根据外部控制信号控制该第一反相开关装置，并且该第一反相开关装置连接在传输所述充电电压的充电电压线与所述复位节点之间；以及第二反相开关装置，根据所述置位节点处的电压控制该第二反相开关装置，并且该第二反相开关装置连接在所述复位节点与传输所述第三放电电压的第三放电电压线之间。