[发明专利]单芯片超高压恒流电路有效
| 申请号： | 201110441333.4 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102508510A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 朱月林 | 申请（专利权）人： | 朱月林 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567;G05F1/569 |
| 代理公司： | 无锡华源专利事务所 32228 | 代理人： | 孙力坚 |
| 地址： | 214072 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 超高压 流电 | ||
1.一种单芯片超高压恒流电路，其特征在于：所述电路包括一只高压N型DMOS管（N1）、一只BJT三极管（Q1）、两端分别与所述高压N型DMOS管（N1）的栅极和漏极相连接的第一电阻（R1）、两端分别与所述高压N型DMOS管（N1）的源极和BJT三极管（Q1）的基极相连接的第二电阻（R2）、两端分别与所述高压N型DMOS管（N1）的源极和BJT三极管（Q1）的发射极相连接的第三电阻（R3），以及阴极与所述BJT三极管（Q1）的集电极相连接、阳极与所述BJT三极管（Q1）的发射极相连接的稳压二极管（D1），所述高压N型DMOS管（N1）的栅极与BJT三极管（Q1）的集电极相连接。
2.根据权利要求1所述单芯片超高压恒流电路，其特征在于：所述第一电阻（R1）为高压电阻。
3.根据权利要求1所述单芯片超高压恒流电路，其特征在于：所述第三电阻（R3）为阻值可调的可修正电阻。
4.根据权利要求1所述单芯片超高压恒流电路，其特征在于：所述高压N型DMOS管（N1）采用DMOS工艺制作。
5.根据权利要求1所述单芯片超高压恒流电路，其特征在于：所述稳压二极管（D1）采用CMOS工艺制作。
6.根据权利要求1所述单芯片超高压恒流电路，其特征在于：所述BJT三极管（Q1）采用双极工艺制作。
7.根据权利要求1~6中任意一项所述单芯片超高压恒流电路，其特征在于：所述电路封装为二端器件，两个端子分别为高压N型DMOS管（N1）的漏极以及BJT三极管（Q1）的发射极。
8.根据权利要求1~6中任意一项所述单芯片超高压恒流电路，其特征在于：所述电路封装为三端器件，三个端子分别为高压N型DMOS管（N1）的漏极、高压N型DMOS管（N1）的源极以及BJT三极管（Q1）的发射极。
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