[发明专利]高压结型场效应晶体管的结构及制备方法

权利要求书

1.一种高压结型场效应晶体管的结构，包括体区和漏端漂移区，一深阱横贯体区和漏端漂移区，其特征在于，所述体区的深阱中注入有一个反型层，该反型层的杂质类型与该深阱的杂质类型相反。

2.根据权利要求1所述的高压结型场效应晶体管的结构，其特征在于，所述深阱为N型深阱，所述反型层为P型埋层。

3.根据权利要求1所述的高压结型场效应晶体管的结构，其特征在于，所述深阱为P型深阱，所述反型层为N型埋层。

4.权利要求1所述结构的高压结型场效应晶体管的制备方法，包括步骤：

1)在衬底上，用光刻和离子注入工艺，形成横贯体区和漏端漂移区且掺杂类型与衬底相反的深阱；

2)用光刻和离子注入工艺，在体区的深阱中形成掺杂类型与衬底相同的阱；

3)在硅片表面形成多个局部氧化硅隔离结构；

4)用光刻和离子注入工艺，在漏端漂移区的深阱中形成掺杂类型与深阱相反的反型层；

5)在所述隔离结构上形成多晶硅场板；

6)在体区和漏端漂移区末端，通过重掺杂离子注入，形成源、漏、栅和衬底的引出端；

7)淀积介电层，刻蚀接触孔，并在接触孔中填充源极、栅极、漏极和衬底极，完成HV JFET的制备；其特征在于，

在进行步骤2)或4)的同时，在体区的深阱中也制作一个掺杂类型与深阱相反的反型层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述深阱为N型深阱，所述反型层为P型埋层。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述深阱为P型深阱，所述反型层为N型埋层。