[发明专利]太阳能电池生产中薄膜前驱物的制备方法无效
申请号: | 201110440363.3 | 申请日: | 2011-12-26 |
公开(公告)号: | CN102569505A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 顾锡淼;严锦春 | 申请(专利权)人: | 嘉兴优太太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 314050 浙江省嘉兴市南湖区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 生产 薄膜 前驱 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能生产系统,具体地,涉及太阳能电池生产中薄膜前驱物的制备方法。
背景技术
太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源,也是清洁能源,不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中,大阳能光电利用是近些年来发展最快,最具活力的研究领域,是其中最受瞩目的项目之一。为此,人们研制和开发了太阳能电池。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应。不同的制备方法对作为太阳能电池主要部件的硅片的质量影响很大,现有技术中硅片的转换效率有待改进。
发明内容
针对现有技术中的缺陷,本发明的目的是提供一种太阳能电池生产中薄膜前驱物的制备方法。
根据本发明提供太阳能电池生产中薄膜前驱物的制备方法,包括如下步骤:
步骤A:采用等摩尔质量数的In(NO3)3·41/2H2O和Cu(NO3)2·3H2O配置成混合溶液R;
步骤B:在Na2S中加入分散剂聚乙二醇制成沉淀剂S;
步骤C:在所述混合溶液R中加入所述沉淀剂S;
步骤D:机械搅拌加入沉淀剂S的所述混合溶液R,搅拌时间为40分钟;
步骤E:静置20小时,将过滤出的沉淀物用去离子水清洗后使用烘箱烘干。
优选地,所述步骤D的反应时间为80摄氏度,pH值控制在3.2至3.6之间。
优选地,在所述步骤D中,pH值控制在3.2。
优选地,在所述步骤A中,采用等摩尔质量数的In(NO3)3·41/2H2O和Cu(NO3)2·3H2O配置成混合溶液R。
本发明提供的制备方法所获得的前驱物能大面积制膜,并且制模效果好。
具体实施方式
根据本发明提供的太阳能电池生产中薄膜前驱物的制备方法,包括步骤:步骤A:采用等摩尔质量数的In(NO3)3·41/2H2O和Cu(NO3)2·3H2O配置成混合溶液R;步骤B:在Na2S中加入分散剂聚乙二醇制成沉淀剂S;步骤C:在所述混合溶液R中加入所述沉淀剂S;步骤D:机械搅拌加入沉淀剂S的所述混合溶液R,搅拌时间为40分钟;步骤E:静置20小时,将过滤出的沉淀物用去离子水清洗后使用烘箱烘干。
优选地,所述步骤D的反应时间为80摄氏度,pH值控制在3.2至3.6之间。优选地,在所述步骤D中,pH值控制在3.2。在所述步骤A中,采用等摩尔质量数的In(NO3)3·41/2H2O和Cu(NO3)2·3H2O配置成混合溶液R。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是,本发明并不局限于上述特定实施方式,本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改,这并不影响本发明的实质内容。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的