[发明专利]陶瓷电子部件及其制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷电子部件，包括：

陶瓷元件；以及

内部电极层，形成在所述陶瓷元件内，具有0.5μm以下的厚度并包括形成在所述内部电极层中的非电极区域，

其中，在所述内部电极层的截面中，所述内部电极层的所述非电极区域与电极区域的面积比为0.1％至10％，并且所述非电极区域包括陶瓷组分。

2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中，所述内部电极层的厚度为0.5μm以下。

3.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中，所述内部电极层的连通度为90％以上，所述连通度定义为所述内部电极层的实际长度与所述内部电极层的总长度的比，即，所述内部电极层的实际长度∶所述内部电极层的总长度。

4.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中，所述内部电极层由包含金属粉末和陶瓷基物质粉末的导电膏形成，所述陶瓷基物质粉末与所述金属粉末的颗粒尺寸比超过1∶5。

5.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中，所述非电极区域是通过以30℃/60s至50℃/60s范围内的加热速率烧制形成所述内部电极层的导电膏来形成的。

6.一种陶瓷电子部件，包括：

陶瓷元件，包括层压在其中的多个介电层；以及

内部电极层，所述内部电极层之间插入各介电层，并具有0.5μm以下的厚度，

其中，在所述内部电极层的截面中，在每一内部电极层中捕获的非电极区域与电极区域的面积比为0.1％至10％，并且所述内部电极层的连通度为90％以上。

7.根据权利要求6所述的陶瓷电子部件，其中，所述非电极区域包含陶瓷基物质粉末，所述陶瓷基物质粉末与形成所述内部电极层的金属粉末的颗粒尺寸比超过1∶5。

8.根据权利要求6所述的陶瓷电子部件，其中，所述内部电极层通过调节包含金属粉末和陶瓷基物质粉末的导电膏的烧制温度来形成。

9.一种陶瓷电子部件，包括：

陶瓷元件；以及

内部电极层，形成在所述陶瓷元件内，

其中，在所述内部电极层的截面中，所述内部电极层的非电极区域与电极区域的面积比为0.1％至10％。

10.根据权利要求9所述的陶瓷电子部件，其中，所述内部电极层的厚度为0.5μm以下。

11.根据权利要求9所述的陶瓷电子部件，其中，所述内部电极层的连通度为90％以上，所述连通性被定义为所述内部电极层的实际长度与所述内部电极层的总长度的比。

12.根据权利要求9所述的陶瓷电子部件，其中，所述非电极区域被捕获在所述内部电极层的金属粒子界面处。

13.根据权利要求9所述的陶瓷电子部件，其中，所述非电极区域包含陶瓷基物质粉末。

14.根据权利要求9所述的陶瓷电子部件，其中，所述内部电极层由包含金属粉末和陶瓷基物质粉末的导电膏来形成，所述陶瓷基物质粉末与所述金属粉末的颗粒尺寸比超过1∶5。

15.根据权利要求9所述的陶瓷电子部件，其中，所述非电极区域是通过调节形成所述内部电极层的导电膏的烧制温度形成的。

16.一种制造陶瓷电子部件的方法，所述方法包括：

制备陶瓷生片；

利用包含金属粉末和陶瓷基物质粉末来形成内部电极图案，所述陶瓷基物质粉末与所述金属粉末的颗粒尺寸比超过1∶5；

对其上形成有所述内部电极图案的陶瓷生片进行层压以形成陶瓷层压片；以及

烧制所述陶瓷层压片以形成内部电极层，在所述内部电极层中非电极区域与电极区域的面积比为0.1％至10％。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，以30℃/60s至50℃/60s范围内的加热速率执行所述陶瓷层压片的所述烧制。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，包含在所述导电膏中的所述金属粉末的烧结被限定至1000℃。

19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述内部电极层的连通度为90％以上。

20.根据权利要求16所述的方法，其中，所述内部电极层的厚度为0.5μm以下。