[发明专利]压电单晶和其制备方法、以及利用该压电单晶的压电部件和介电部件有效

专利信息
申请号: 201110439775.5 申请日: 2006-11-06
公开(公告)号: CN102492989A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 李壕用;李瑆敏;金董皓 申请(专利权)人: 赛若朴有限公司
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B1/02;H01L41/18
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 韩国忠*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 压电 制备 方法 以及 利用 部件
【权利要求书】:

1.一种含锆的钙钛矿型压电单晶([A][B]O3),其特征在于:其具有如下化学式8:

[A][(MN)(1-x-y)TixZry]O3+cP

在上述化学式中,A表示从Pb、Sr、Ba和Bi中的至少一种物质,M表示从Ce、Co、Fe、In、Mg、Mn、Ni、Sc和Yb中的至少一种物质,N则表示Nb、Sb、Ta和W中的一种物质,x和y需分别满足以下条件:

0.05≤x≤0.58(摩尔比);

0.05≤y≤0.62(摩尔比);

P为包含至少一个选自由金属和氧化物组成的组中的强化第二相,且c满足以下条件:

0.001≤c≤0.20(摩尔比)。

2.按照权利要求1所述的压电单晶,其特征在于,所述压电单晶具有如下化学式9组成:

[Pb][(MN)(1-x-y)TixZry]O3+cP。

3.按照权利要求1所述的压电单晶,其特征在于,所述压电单晶具有如下化学式10组成:

[A][((M)(Nb))(1-x-y)TixZry]O3+cP。

4.按照权利要求1所述的压电单晶,其特征在于,所述压电单晶具有如下化学式11组成:

[Pb(1-a-b)SraBab][((Mg,Zn)1/3Nb2/3)(1-x-y)TixZry]O3+cP。

上述化学式中,a的摩尔比范围为0.0≤a≤0.1;b的摩尔比范围为0.0≤b≤0.6。

5.按照权利要求1所述的压电单晶,其特征在于,所述压电单晶具有如下化学式12组成:

[Pb][((Mg(1-a)Zna)1/3Nb2/3)(1-x-y)TixZry]O3+cP,上述化学式中,x的摩尔比范围为0.20≤x≤0.58;a的摩尔比范围为0.0≤a≤0.5。

6.按照权利要求1所述的压电单晶,其特征在于,所述压电单晶具有如下化学式13组成:

[Pb][(Mg1/3Nb2/3)(1-x-y)TixZry]O3+cP,

上述化学式中,x的摩尔比范围为0.25≤x≤0.58。

7.按照权利要求1-6中任一项所述的压电单晶,其特征在于:所述强化第二相P进一步包括气孔。

8.按照权利要去1-6中任一项所述的压电单晶,其特征在于:所述强化第二相P为Au、Ag、Ir、Pt、Pd、Rh、MgO和ZrO2中至少一种。

9.按照权利要求1-6中任一项所述的压电单晶,其特征在于:所述强化第二相P以粒子的形式均匀分布在所述压电单晶中,或者以既定的图案规则分布在所述压电单晶中。

10.按照权利要求1-6中任一项所述的压电单晶,其特征在于:所述压电单晶中的x和y为属于从菱形晶相和正方晶相之间的变晶相界的组成的10mol%的范围之内。

11.按照权利要求10所述的压电单晶,其特征在于:所述压电单晶中的x和y为属于从菱形晶相和正方晶相之间的变晶相界的组成的5mol%的范围之内。

12.按照权利要求1-6中任一项所述的压电单晶,其特征在于:所述压电单晶的居里温度Tc为180度以上,且菱形晶相和正方晶相间的相变温度TRT在100度以上。

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