[发明专利]纳米银焊膏封装60瓦 808纳米大功率半导体激光器模块及其封装方法无效
申请号: | 201110439650.2 | 申请日: | 2011-12-23 |
公开(公告)号: | CN102522695A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 陈旭;鄢艺 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024;B23K1/008 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 300072 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 银焊膏 封装 60 808 大功率 半导体激光器 模块 及其 方法 | ||
1.一种纳米银焊膏封装60瓦808纳米大功率半导体激光器的封装模块,其特征是在热沉上封装巴条,热沉与巴条之间采用纳米银焊膏作为连接材料,使用镀金陶瓷片将器件的正负极相隔,然后用铜箔连接巴条上表面和陶瓷片的上表面,用螺钉固定好负极块即完成该器件的封装。
2.权利要求1的纳米银焊膏封装的60瓦808纳米大功率半导体激光器模块的封装方法,其特征在于包括以下步骤:
1)使用丝网印刷的方法,在热沉上使用胶带选择好涂布纳米银焊膏的位置,贴出一个类似于丝网印刷中丝网的框架;
2)采用丝网印刷的方法将纳米银焊膏均匀地涂布在胶带控制的位置,将纳米银焊膏的厚度控制在50um以内;
3)去除胶带,在涂布好纳米银焊膏的热沉表面贴放好巴条;
4)巴条放置好后,将贴好巴条的热沉放置在烧结炉上;低温烧结连接巴条,低温烧结的条件是先将温度从室温以每分钟3℃的速率升至50℃,保温30分钟;然后继续以每分钟5℃的速率升至100℃,保温30分钟;再以每分钟5℃的速率升至180℃,保温10分钟;最后迅速升温至280℃,保温30分钟后降到室温;
5)连接好巴条后待模块温度降到室温以后,在热沉上粘结陶瓷片并且使用铜箔连接巴条和陶瓷片;
6)将负极块用螺钉与正极块固定在一起。
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