[发明专利]发光二极管结构

权利要求书

1.一种发光二极管结构，包括：

一第一型半导体层；

一第二型半导体层，配置于该第一型半导体层上；

一有源层，配置于该第一型半导体层上，且位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；

一第一导电层，配置于该第一型半导体层上，且电性连接该第一型半导体层；

一导电材料层，配置该第二型半导体层上，且电性连接该第二型半导体层，该导电材料层至少具有一第一厚度区域以及一第二厚度区域，其中该第一厚度区域的厚度大于该第二厚度区域的厚度；以及

一第二导电层，配置于该导电材料层上，且电性连接该导电材料层，其中该第二导电层位于该导电材料层的该第二厚度区域上。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构，还包括一磊晶基板，其中该第一型半导体层、该有源层、该第二型半导体层、该导电材料层及该第二导电层依序堆叠于该磊晶基板上，且该有源层、该第二型半导体层该导电材料层及该第二导电层配置于该第一型半导体层的部分区域上并暴露出部分该第一型半导体层，而该第一导电层配置于该有源层、该第二型半导体层、该导电材料层及该第二导电层所暴露出的部分该第一型半导体层上。

3.如权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，该磊晶基板为一蓝宝石、碳化硅(SiC)、硅(Si)或绝缘基板。

4.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该第一型半导体层位于该有源层与该第一导电层之间。

5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该导电材料层的截面为阶梯状，是由一导电材料依序透过一激光热处理制程及一蚀刻制程而完成。

6.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该导电材料层的厚度介于100埃至10000埃之间。

7.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该导电材料层的材质包括金属、陶瓷或金属氧化物类。

8.如权利要求7所述的发光二极管结构，其特征在于，该导电材料层的材质包括氧化铟锡(ITO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、或含有掺氟的氧化锡(FZO)。

9.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该导电材料层还具有一第三厚度区，其中该第三厚度区域介于该第一厚度区域与该第二厚度区域之间，而该第三厚度区域的厚度大于该第二厚度区域的厚度且小于该第一厚度区域的厚度。

10.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该第一型半导体层及该第二型半导体层其中的至少一层为一P型半导体层或一N型半导体层。