[发明专利]一种限流装置及限流方法

权利要求书

1.一种限流装置，包括：

功率MOS管，该功率MOS管的一个输出端连接到负载；

恒流源输入电路，包括第一MOS管，其栅极接恒流源；

镜像电路，包括第二MOS管，通过该第二MOS管将流经运放源跟随支路的恒流源电流Ibase镜像到所述功率MOS管；

运放源跟随支路，其输出接镜像电路，并包括运算放大器Amp和第三MOS管，第三MOS管的栅极和漏极分别接该运算放大器的输出端和第一MOS管的源极。

2.如权利要求1所述的限流装置，其特征在于，第二MOS管和功率MOS管的尺寸比例为1:n，该功率MOS管的最大电流值就被钳位在限定电流Imax，其中限定电流Imax等于n倍Ibase。

3.如权利要求1所述的限流装置，其特征在于，恒流源输入电路中的第一MOS管由多个电流管组成，从而形成多条电流支路，将Ibase分成m份，并且所形成的每一个电流支路均通过MOS开关来控制其通断，以根据需要调整需要镜像的电流大小。

4.一种限制流经功率MOS管的电流的方法，该方法包括：

恒流源Ibase经第一MOS管的栅极输入，经运放源跟随支路后经镜像电路接所述功率MOS管，所述功率MOS管的一个输出端连接到负载；其中，镜像电路，包括第二MOS管，通过该第二MOS管将恒流源电流Ibase镜像到所述功率MOS管；运放源跟随支路，包括运算放大器Amp和第三MOS管，第三MOS管的栅极和漏极分别接该运算放大器的输出端和第一MOS管的源极。

5.如权利要求4所述的限制流经功率MOS管的电流的方法，其特征在于，第二MOS管和功率MOS管的尺寸比例为1:n，该功率MOS管的最大电流值就被钳位在限定电流Imax，其中限定电流Imax等于n倍Ibase。

6.如权利要求4所述的限制流经功率MOS管的电流的方法，其特征在于，第一MOS管由多个电流管组成，从而形成多条电流支路，将Ibase分成m份，并且所形成的每一个电流支路均通过MOS开关来控制其通断，以根据需要调整需要镜像的电流大小。