[发明专利]晶圆的测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的测试领域，尤其涉及一种晶圆的测试方法。

背景技术

半导体器件的整个制造流程可以分为晶圆制造、晶圆测试、晶圆封装及最后测试等分步骤。

所述晶圆制造指的是在硅晶圆上制造半导体器件，在完成半导体器件的制造之后，硅晶圆上会形成多个重复的管芯(die)。在晶圆测试步骤中，需要对所述管芯进行电性测试，以确保在封装之前，硅晶圆上的管芯是合格的产品，因此晶圆测试是提高半导体器件良率的关键步骤之一。

通常测试设备包括至少一根探针(probe)，所述探针触碰到晶圆上的die以进行电性测试，具体地，所述die上通常设置有测试焊点(pad)，所述探针与所述pad需要相互接触，才能完成电性测试。

现有技术中，晶圆上的die的分布通常是规则排列的，参考图1，示出了现有技术晶圆一实施例的示意图，晶圆11上的多个相同的管芯12，所述多个管芯12呈矩阵式排列，多个管芯12在行方向具有一定的排列周期，在列方向也有一定的排列周期。对图1所示的晶圆11进行测试时，通过移动晶圆11使探针对各个管芯上的pad(图中未示出)相接触，以完成整片晶圆11的测试。

随着半导体技术的发展，为了适应芯片设计人员研发的需要，现有技术中发展了多项目晶圆产品(Multi-Project Wafer，MPW)，所述MPW产品中包含来自不同客户、不同部门设计的多种die，所述多种die的尺寸、结构均不相同，而为了充分利用晶圆，晶圆上的多种die通常会统筹安排，因此，晶圆上多种die的排列是不规则的，参考图2，示出了现有技术晶圆另一实施例的示意图，所述晶圆20包括多个矩阵式排列的重复单元21，每个重复单元21上包括多种die22，所述多种die22的重复单元21在行方向或列方向均为无规则的排列方式。

而由于晶圆(wafer)的移动方式通常是沿行方向或列方向等间距的移动，这给MPW进行晶圆测试增加了难度。

在公开号为CN101251571A的中国专利申请中也公开了一种晶圆测试方法，但是所述方法没有给出解决上述问题的技术方案。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种简单的晶圆测试方法。

为了解决上述问题，本发明提供一种晶圆的测试方法，所述晶圆包括多种管芯，不同种管芯具有不同的排布位置和排布周期，所述测试方法包括：对测试设备进行初始化设置，所述初始化设置包括获取各管芯在晶圆上的排布位置和排布周期、各管芯的对准图形；基于所述管芯在晶圆上的排布位置和排布周期获得测试设备平移晶圆的平移轨迹；将晶圆放置于测试设备中，基于初始位置处的第一管芯的对准图形对所述第一管芯进行对准；测试设备通过所述第一管芯上的测试焊点进行测试；按照第一管芯的排布周期平移所述晶圆，完成晶圆上所有第一管芯的测试；基于晶圆的平移轨迹移动所述晶圆，基于第二管芯的对准图形对所述第二管芯进行对准；测试设备通过所述第二管芯上的测试焊点进行测试；按照第二管芯的排布周期平移所述晶圆，完成晶圆上所有第二管芯的测试；继续平移晶圆、对准、测试，直至完成对所有管芯的测试；将晶圆从测试设备中取出。

可选地，通过不相同的对准图形对各管芯进行对准。

可选地，通过相同的对准图形对各管芯进行对准。

可选地，基于晶圆的平移轨迹移动所述晶圆，基于第二管芯的对准图形对所述第二管芯进行对准的步骤包括：移动所述晶圆至初始位置处，基于初始位置处的第二管芯的对准图形对所述第二管芯进行对准。

可选地，基于晶圆的平移轨迹移动所述晶圆，基于第二管芯的对准图形对所述第二管芯进行对准的步骤包括：在完成晶圆上所有第一管芯的测试后，移动所述晶圆至最近的第二管芯的位置处，基于第二管芯的对准图形对所述第二管芯进行对准。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

1.本发明晶圆测试方法对多项目晶圆产品进行了测试，在整个晶圆测试过程中，无需取出晶圆，简化了测试过程；

2.本发明晶圆测试方法减少了人工操作的步骤，进一步提高了测试效率。

附图说明

图1是现有技术晶圆一实施例的示意图；

图2是现有技术晶圆另一实施例的示意图；

图3是本发明晶圆测试方法一实施方式的流程示意图；

图4是图3所示晶圆测试方法一实施例的示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。