[发明专利]一种减小电荷共享效应的CMOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种减小辐射环境下电荷共享效应的CMOS器件，所述CMOS器件包括衬底(1)、隔离区(4)、有源区(5)、栅区(6)、LDD区(7)、栅侧墙(8)、源区和漏区(9)，其特征在于，在所述隔离区的正下方设置俘获载流子的附加隔离区(3)。

2.如权利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，所述附加隔离区(3)的材料为多孔硅。

3.一种减小辐射环境下电荷共享效应的CMOS器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)提供一个硅片作为衬底，将其正面化学抛光为镜面，经常规清洗工艺，在背面蒸铝形成铝膜作为欧姆接触，同时在铝膜上涂上一层防酸保护层；

2)将硅片放入氢氟酸和酒精的混合溶液中，将衬底的背面的铝膜作为阳极，铂片作为阴极，通以恒定电流进行腐蚀，腐蚀结束后取出硅片，进行清洗，刻蚀掉硅片背面的铝，生成硅-多孔硅形成附加隔离区；

3)在附加隔离区上热氧化生成一层二氧化硅，光刻后刻蚀，留出器件的隔离区；

4)外延一层半导体材料，将其平坦化，形成器件的有源区；

5)热氧化一薄层栅介质的材料，光刻刻蚀后形成器件的栅介质；

6)生长屏蔽氧化层并淀积栅的材料，光刻后形成栅图形，刻蚀栅材料，形成器件的栅区；

7)进行注入形成LDD区；

8)淀积栅侧墙的材料，各向异性刻蚀形成栅侧墙；

9)进行源漏注入形成源区和漏区，退火以进行杂质激活。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤4)中所述半导体材料为硅。

5.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤5)中所述栅介质的材料为二氧化硅或者高K材料。

6.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤6)中所述栅的材料为多晶硅或者金属。

7.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤8)中所述栅侧墙的材料为二氧化硅或者氮化硅。

8.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤2)中恒定电流为100mA/cm2，腐蚀时间为20～25min。