[发明专利]使用两层式结构涂层来制造构件的方法有效
| 申请号: | 201110436563.1 | 申请日: | 2011-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN102560481A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
| 发明(设计)人: | R·S·班克;D·M·利普金 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
| 主分类号: | C23C26/00 | 分类号: | C23C26/00;C23C28/00;F01D5/18 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李强;谭祐祥 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 两层式 结构 涂层 制造 构件 方法 | ||
1.一种制造构件(100)的方法,所述方法包括:
使第一结构涂层层(54)淀积在衬底(110)的外表面(112)上,其中,所述衬底(110)具有至少一个空心内部空间(114);
通过所述第一结构涂层层(54)而加工所述衬底(110),以在所述第一结构涂层层(54)中限定一个或多个开口(58),以及在所述衬底(110)的所述外表面(112)中形成相应的一个或多个凹槽(132),其中,所述一个或多个凹槽(132)中的各个均具有基部(134),并且至少部分地沿着所述衬底(110)的所述表面(112)延伸;以及
使所述第二结构涂层层(56)淀积在所述第一结构涂层层(54)上面以及在所述一个或多个凹槽(132)上面,使得所述一个或多个凹槽(132)和所述第二结构涂层层(56)共同限定一个或多个通道(130)以冷却所述构件(100)。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法进一步包括:
通过所述第一结构涂层层(54)中的相应的一个或多个开口(58)而用填料(32)填充所述一个或多个凹槽(132),其中,所述第二结构涂层层(56)淀积在所述第一结构涂层层(54)上面以及在设置在所述一个或多个凹槽(132)中的所述填料(32)上面;
在已经淀积所述第二结构涂层层(56)之后,从所述一个或多个凹槽(132)中移除所述填料(32);以及
通过所述凹槽(132)中的相应的一个的所述基部(134)而形成一个或多个进入孔(140),以将相应的凹槽(132)连接成与所述至少一个空心内部空间(114)中的相应的一些处于流体连通,以及其中,在用所述填料(32)填充所述凹槽(132)之前形成所述一个或多个进入孔(140)。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,当所述第二结构涂层层(56)淀积在所述一个或多个凹槽(132)上面时,未填充所述一个或多个凹槽(132)。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法进一步包括:
使额外的涂层层(50)淀积在所述第二结构涂层层(56)上面;以及
在淀积所述第一结构涂层层(54)之后执行热处理,
其中,通过执行下者中的至少一个来淀积所述第一结构涂层层和第二结构涂层层(54,56):等离子区淀积、热喷涂过程和冷喷涂过程。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法进一步包括:
在加工所述衬底(110)之前,使短时涂层(30)淀积在所述第一结构涂层层(54)上,其中,通过所述短时涂层(30)和所述第一结构涂层层(54)两者而加工所述衬底(110),以及其中,所述加工在所述短时涂层(30)中形成一个或多个开口(34);以及
在淀积所述第二结构涂层层(56)之前,移除所述短时涂层(30)。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法进一步包括:
通过所述第一结构涂层层(54)中的相应的一个或多个开口(58)而用填料(32)来填充所述一个或多个凹槽(132),其中,所述第二结构涂层层(56)淀积在所述第一结构涂层层(54)上面以及在设置在所述一个或多个凹槽(132)中的所述填料(32)上面,其中,在用所述填料(32)填充所述凹槽之前,移除所述短时涂层(30);
对所述填料(32)进行干燥、固化或烧结;以及
在已经淀积所述第二结构涂层层(56)之后,从所述一个或多个凹槽(132)中移除所述填料(32)。
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