[发明专利]超低功耗上电复位电路有效
| 申请号： | 201110436258.2 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102497181A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 王兆敏;蔡道林;陈后鹏;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功耗 复位 电路 | ||
1.一种超低功耗上电复位电路，其特征在于，所述超低功耗上电复位电路至少包括：
电源采样电路，与电源相连接，用于基于阈值对电源电压进行采样以输出采样信号；
整形电路，与所述电源采样电路构成正反馈连接，用于将所述采样信号整形为阶跃信号；
延迟电路，连接所述整形电路的输出端，用于将所述阶跃信号予以延迟；
异或电路，连接所述整形电路与延迟电路的输出端，用于基于所述阶跃信号及延迟后的阶跃信号来输出上电复位信号。
2.根据权利要求1所述的超低功耗上电复位电路，其特征在于：所述整形电路包括将所述采样信号延迟后再予以整形为阶跃信号的延迟整形电路。
3.根据权利要求2所述的超低功耗上电复位电路，其特征在于：所述延迟整形电路包括反相器及电容。
4.根据权利要求1至3任一项所述的超低功耗上电复位电路，其特征在于：所述电源采样电路包括具有第一阈值的充电支路，所述整形电路还包括具有第二阈值且与所述充电支路形成正反馈的正反馈支路。
5.根据权利要求4所述的超低功耗上电复位电路，其特征在于：所述正反馈支路与所述充电支路形成栅交叉耦合结构。
6.根据权利要求4所述的超低功耗上电复位电路，其特征在于：所述充电支路包含的充电电容由MOS管来实现。
7.根据权利要求4所述的超低功耗上电复位电路，其特征在于：所述正反馈支路包括反相器。
8.根据权利要求1所述的超低功耗上电复位电路，其特征在于：所述延迟电路包括静态电流为0的延迟电路。
9.根据权利要求8所述的超低功耗上电复位电路，其特征在于：所述延迟电路包括连接于所述整形电路输出端的第一反相器、连接于所述第一反相器输出端与电源之间的电容以及输入端连接所述电容的第二反相器。
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