[发明专利]鳍式场效应管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括氧化层，在所述氧化层表面形成有凸出的鳍部和横跨在所述鳍部上的栅极结构；

在所述栅极结构两侧形成栅极侧墙，所述鳍部两侧形成有鳍部侧墙；

形成保护侧墙，所述保护侧墙的底部表面距离基底表面的距离大于所述鳍部顶部表面距离基底表面的距离；

以所述保护侧墙为掩膜，去除所述鳍部侧墙。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述保护侧墙的特征尺寸与栅极侧墙的特征尺寸的比值为1.1～5。

3.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，形成保护侧墙的方法包括：

形成第一牺牲层，所述第一牺牲层完全覆盖所述栅极结构，鳍部以及未被栅极结构和鳍部覆盖的氧化层表面；

去除部分所述第一牺牲层，形成第二牺牲层，所述第二牺牲层的高度不小于所述鳍部的高度且小于栅极结构的高度；

形成位于所述栅极结构两侧且覆盖所述栅极侧墙的保护侧墙。

4.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述鳍部和栅极结构的形成工艺为：光刻、纳米压印(nano-imprint)、DSA、干法刻蚀或者湿法刻蚀。

5.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述形成的鳍部的特征尺寸为1-8nm。

6.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅极侧墙或者鳍部侧墙的材料为：SiO₂、Si₃N₄或者SiON。

7.如权利要求6所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅极侧墙和鳍部侧墙的材料相同。

8.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅极侧墙的形成方法包括：

沉积覆盖所述氧化层，栅极结构以及鳍部的侧墙层；

刻蚀栅极结构侧壁上的侧墙层，直到所述侧墙层沿垂直于栅极结构侧壁方向的厚度达到预定尺寸；

刻蚀所述覆盖栅极结构和氧化层的侧墙层，直到栅极结构顶部和氧化层上的侧墙被去除。

9.如权利要求3所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料为：底部抗反射涂层(BARC，bottom anti-reflective coating)、先进图膜(APF，advanced patterning film)、SiO₂、Si₃N₄、SiON或者多晶硅。

10.如权利要求3所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料为BARC或者APF。

11.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述保护侧墙的材料为：底部抗反射涂层(BARC，bottom anti-reflective coating)、先进图膜(APF，advanced patterning film)、SiO₂、Si₃N₄、SiON或者多晶硅。

12.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述保护侧墙的材料为BARC或者APF。

13.如权利要求11或者12所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述保护侧墙的材料与第一牺牲层、第二牺牲层的材料不同，与栅极侧墙、鳍部侧墙的材料不同。

14.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：刻蚀去除保护侧墙。

15.如权利要求3所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，去除所述部分第一牺牲层形成第二牺牲层采用的工艺为刻蚀工艺，刻蚀气体为Cl₂和O₂，刻蚀工艺参数包括：温度30-200℃，压力为1～30个毫大气压，Cl₂的流量为10-300sccm，O₂的流量为5-300sccm。