[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法有效
| 申请号: | 201110435856.8 | 申请日: | 2010-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN102522304A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
| 发明(设计)人: | 舆水地盐;山泽阳平 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:
能够进行真空排气的处理容器;
在所述处理容器内载置被处理基板的下部电极;
以覆盖所述下部电极的向所述基板的半径方向外侧伸出的周边部分的至少一部分的方式,安装于所述下部电极的内侧聚焦环;
以覆盖所述内侧聚焦环的方式设置的外侧聚焦环;
在所述处理容器内与所述下部电极平行相对的上部电极;
为了对所述基板实施期望的等离子体处理,将期望的处理气体供向所述上部电极与所述下部电极之间的处理空间的处理气体供给部;
输出频率适于进行气体的高频放电的第一高频的第一高频电源;
等离子体生成用高频供电部,其以阻抗匹配的状态将来自所述第一高频电源的所述第一高频供向第一负载,该第一负载用于在所述处理空间通过高频放电生成所述处理气体的等离子体;和
聚焦环加热用高频供电部,其以阻抗匹配的状态将来自所述第一高频电源的所述第一高频供向第二负载,该第二负载用于使所述外侧聚焦环发热直至期望的温度。
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