[发明专利]带选择性浅槽通孔的LDMOS及其制备方法

权利要求书

1.带选择性浅槽通孔结构的LDMOS的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在衬底上形成外延层、阱、栅极、体区、源区和漏区；

2)成长底层层间膜；

3)成长阻挡层；

4)涂布光阻，曝光，刻蚀掉要制作浅槽通孔的区域的阻挡层；

5)去掉光阻，成长顶层层间膜；

6)涂布光阻，曝光，进行高选择性刻蚀，刻蚀掉所述浅槽通孔区域的顶层层间膜和底层层间膜，并将源极、漏极和栅极区域的通孔刻蚀到阻挡层；

7)高选择性浅槽通孔刻蚀，将所述浅槽通孔刻蚀至体区；

8)在所述浅槽通孔的底部，离子注入与体区同型的掺杂源；

9)高选择性通孔刻蚀，刻蚀掉源极、漏极和栅极区域的阻挡层和底层层间膜；

10)按照常规工艺流程进行后续的制备工艺，直至完成LDMOS的制备。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底层层间膜和顶层层间膜的材料为二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)、5)中成长的底层层间膜和顶层层间膜的厚度为0.01～10微米。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氮化硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)，被刻蚀掉的区域的宽度为0.1～100微米。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤8)，注入的剂量为10¹²～10¹⁵原子/cm²，能量为10～2000KeV。

7.用权利要求1所述方法制备的LDMOS器件，其特征在于，该LDMOS的源端具有一个浅槽通孔，该浅槽通孔与体区连接，且底部与体区同型掺杂。

8.根据权利要求7所述的LDMOS器件，其特征在于，所述浅槽通孔的孔径为0.1～100微米。