[发明专利]一种太阳能电池片正电极栅线结构无效
| 申请号: | 201110435518.4 | 申请日: | 2011-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN103178127A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
| 发明(设计)人: | 魏志凌;高小平;潘世珎;张炜平 | 申请(专利权)人: | 昆山允升吉光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 电极 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池片结构,尤其涉及一种太阳能电池片的正电极栅线结构。
背景技术
随着经济的快速发展,能源的消耗量越来越大,煤和石油等不可再生资源的储存量日益减少,这促使人们对新能源(如核能、太阳能、风能、生物质能、地热能、海洋能、氢能等)的不断探索。其中,作为地球上许多能量的来源,太阳能在新能源的研究中占据了重要的地位,太阳能电池就是太阳能应用的一个核心代表。太阳能电池制造主要包括以下几个步骤:硅片切割,材料准备;去除损伤层;制绒;扩散制结;边缘刻蚀、清洗;沉积减反射层;印刷上下电极;共烧形成金属接触;以及电池片测试。其中,印刷上下电极是太阳能电池制造的一个重要环节,具有较强电流收集能力的电池电极可以在一定程度上有效地提高太阳能电池的转化效率。
传统的电池正电极由若干条主栅线和若干条细栅线相互垂直构成。图1所示为156×156晶体硅太阳能电池正电极的示意图,其由3条主栅线11和若干条细栅线12相互垂直构成。这种电极的主栅线线宽大且几乎贯穿整个电池片,其大面积遮盖了电池片的光照面积,从而减少了太阳能的利用率。本领域技术人员一直致力于减小印刷细栅线的线径宽度,从而增大电池片的有效光照面积,但印刷电极所固有的这种栅线结构导致电流收集能力难以再进一步提高。
发明内容
本发明为解决传统的太阳能电池电极栅线对电流的收集能力难以进一步提高的技术问题,提供了一种新型的太阳能电池片,其正电极的特殊栅线结构可以增强电流的收集能力,从而提高太阳能电池热能转化效率。
本发明为解决上述技术问题所采用的具体技术方案为:
一种太阳能电池片正电极栅线结构,包括硅片及印刷在硅片正面的正电极导电栅线,所述导电栅线的图案由若干个“米”字形结构单元阵列构成。所述“米”字形结构单元的中心交点处有一节点,所述硅片在所述节点位置处设有通孔,电池背面的正电极连接点通过通孔中的导电浆料与正面栅线节点相连接。
进一步,所述“米”字形结构单元以通过中心交点的4条导电栅线作为骨架结构,所述骨架结构的栅线将单元结构等分为8个独立小区域。
进一步,在部分或全部骨架栅线上具有分支结构栅线。
进一步,所述骨架栅线上的分支栅线为直线型,且在所述结构单元的每个独立小区域内相互平行;进一步为等间距平行。
进一步,所有相邻两个结构单元的交界处栅线相互连通,即在电流汇集时可以起到相互辅助的作用。
进一步,所述“米”字形结构单元主体为方形结构,整体栅线结构有n×n个该结构单元(n=1,2,3,4,5,6等一系列合适的自然数)。
本发明所提供的太阳能电池片正电极栅线结构,运用了拓扑学规律,其具有电流收集能力强,传输速率高的优点,能够有效的提高太阳能电池的转化效率。
附图说明
图1是传统的太阳能电池片正电极栅线结构示意图;
图2是根据本发明一个实施例的太阳能电池片正电极栅线结构的示意图;
图3是图2中21部分的放大示意图;
图4是根据本发明另一实施例的太阳能电池片正电极栅线结构的示意图;
图5是根据本发明又一实施例的太阳能电池片正电极栅线结构的示意图;以及
图6是根据本发明再一实施例的太阳能电池片正电极栅线结构的示意图。
具体实施方式
以下将讨论本发明的各个较佳实施例。但本领域技术人员应当理解,此处的详细说明并不作为对本发明保护范围的限制,本发明还可通过以下各实施例的变型或其它等同方式得以实现。
较佳实施例1:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山允升吉光电科技有限公司,未经昆山允升吉光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110435518.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





