[发明专利]用于边缘场切换模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种制造边缘场切换模式液晶显示器的阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：

在基板上的像素区中形成薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管上形成第一钝化层；

在所述第一钝化层上形成公共电极；

在所述公共电极上形成第二钝化层；

在所述第二钝化层上形成具有第一厚度的辅助绝缘层；

在所述辅助绝缘层上形成分别具有第二厚度和第三厚度的第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，所述第二厚度大于所述第三厚度；

使用所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述辅助绝缘层、所述第二钝化层和所述第一钝化层，以形成露出所述薄膜晶体管的漏极的漏接触孔；

进行灰化以去除所述第二光刻胶图案并且露出其下方的所述辅助绝缘层；

进行干法蚀刻以去除不被所述第一光刻胶图案覆盖的所述辅助绝缘层并且露出所述第一钝化层，并且在所述第一光刻胶图案下方形成绝缘图案，所述绝缘图案和所述第一光刻胶图案形成咬边(底切？)形状；

在具有所述第一光刻胶图案的基板上形成具有小于所述第一厚度的第四厚度的透明导电材料层；以及

进行抬离工序以一起去除所述第一光刻胶图案及其上的所述透明导电材料层并且将所述透明导电材料层的剩余部分形成为像素电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二钝化层和所述辅助绝缘层由同一材料制成并且在化学汽相沉积设备的同一腔体中顺序形成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二钝化层是在所述腔体中在第一条件下形成的，所述第一条件为温度约210摄氏度到约230摄氏度，压力约1000mT到约1200mT，功率约700W到约900W，所述腔体中流动的氨NH3和硅烷SiH4的气体流速分别约580sccm到约700sccm和约90sccm到约120sccm，并且其中，所述辅助绝缘层是在所述腔体中在第二条件下形成的，所述第二条件为温度约210摄氏度到约230摄氏度，压力约1700mT到约1900mT，功率约1200W到约1400W，所述腔体中流动的氨NH₃和硅烷SiH₄的气体流速分别约280sccm到约360sccm和约140sccm到约180sccm。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述干法蚀刻是各向同性干法蚀刻并且是在干法蚀刻设备的腔体中在以下条件下进行的：压力是约140mT到约160mT，功率是约270W到约330W，并且六氟化硫SF₆、氧气O₂、氦气He和氯气Cl₂的气体流速分别是约100sccm到约150sccm、约30sccm、约30sccm和约30sccm。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述公共电极大致在整个显示区域上方形成且具有与所述薄膜晶体管相对应的开口，或者在每个像素区中单独形成并且通过连接图案连接到相邻像素区中的公共电极。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成薄膜晶体管的步骤包括：

在所述基板上形成非晶硅层；

将所述非晶硅层晶体化为多晶硅层；

将所述多晶硅层构图为半导体层；

在所述半导体层上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上与所述半导体层的中心部分相对应地形成栅极；

使用所述栅极作为掺杂掩模对所述半导体层进行掺杂以形成欧姆接触层；

在所述栅极上形成层间绝缘膜并且露出所述欧姆接触层；以及

在所述层间绝缘膜上形成均与所述欧姆接触层相接触的源极和漏极。

7.根据权利要求6所述的方法，该方法还包括以下步骤：在形成所述非晶硅层之前，形成与所述薄膜晶体管相对应的光阻挡层和在所述光阻挡层上的缓冲层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成薄膜晶体管的步骤包括：

在所述基板上形成栅极；

在所述栅极上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成半导体层，该半导体层包括本征非晶硅的有源层和位于所述有源层上的掺杂非晶硅的欧姆接触层；以及

在所述半导体层上形成源极和漏极。