[发明专利]具有预偏置电压控制的电源装置有效
申请号: | 201110432165.2 | 申请日: | 2011-12-21 |
公开(公告)号: | CN102437751A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 刘旭君 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217;H02M1/36 |
代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人: | 陈霁 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 偏置 电压 控制 电源 装置 | ||
1.一种具有预偏置电压控制的电源装置,其特征在于,所述装置包括:
输入单元,用于输入外部电压,并将所述外部电压传输至输出整流和滤波单元;
输出整流和滤波单元,用于将所述输入单元中的电压进行整流和滤波,生成输出电压;
采样测量单元,用于采样输出整流和滤波单元中输出滤波电容上的预偏置电压(Vi0),对所述预偏置电压进行处理,得到采样处理电压(V1);
信号处理单元,对所述采样处理电压进行线性运算处理,得到与所述预偏置电压成线性关系的处理电压(V2);
PWM控制单元,根据所述处理电压(V2)调节所述输入电压的占空比,所述调节占空比后的输入电压转换后的电压值与所述预偏置电压的电压值相等。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括前馈单元,用于使所述占空比随所述输入电压反比变化,所述前馈单元与所述PWM控制单元连接,或所述前馈单元连接在所述PWM控制单元与所述输入单元之间。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括第一N型晶体管(Q1)和软启动电容(Css);
所述第一N型晶体管(Q1)的漏极与所述信号处理单元中的放大器(OP1)负输入端连接,所述第一N型晶体管(Q1)的栅极与所述PWM控制单元连接,所述第一N型晶体管(Q1)的源极接地端;所述软启动电容一端与所述信号处理单元中的二极管(D1)负极以及所述PWM控制单元连接,另一端连接地端。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括第一N型晶体管(Q1)和软启动电容(Css);
所述第一N型晶体管(Q1)的漏极与所述信号处理单元中二极管(D1) 负极连接,所述第一N型晶体管(Q1)的栅极与所述PWM控制电路连接,所述第一N型晶体管(Q1)的源极与软启动电容(Css)连接;所述软启动电容一端与所述信号处理单元中的放大器(OP1)负输入端连接,另一端连接地端。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述输出整流和滤波单元包括第二N型晶体管(Q2)、第三N型晶体管(Q3)、输出电感(TX2)和输出滤波电容(C1);
所述第二N型晶体管(Q2)的漏极与所述输入单元中的副边线圈连接,第二N型晶体管(Q2)的栅极与所述PWM控制单元连接,所述第三N型晶体管(Q3)的漏极与所述输入电路中的副边线圈连接,所述第三N型晶体管(Q3)的栅极与所述PWM控制单元连接,所述输出电感(TX2)一端与所述第三N型晶体管(Q3)的漏极连接,另一端与所述采样测量单元以及所述输出滤波电容(C1)连接,所述第二N型晶体管(Q2)的源极与第三N型晶体管(Q3)的源极以及与所述输出滤波电容(C1)连接在地端。
6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述采样测量单元包括电阻R6和R7;
所述采样控制单元中电阻(R6)一端与所述输出整流和滤波单元中的输出滤波电容连接,另一端与所述采样控制单元中电阻(R7)以及所述信号处理单元连接,所述采样控制单元中电阻(R7)一端与所述信号处理单元连接,另一端连接地端,所述采样测量单元采用分压电阻耦合的方式获取所述输出滤波电容上的输出预偏置电压值的采样测量值。
7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述采样测量单元包括辅助绕组(P2)、第四N型晶体管(Q4)、电阻(R4)和电容(C3);
所述第四N型晶体管(Q4)的漏极与所述电阻(R4)连接,所述第四N型晶体管的源极与所述辅助绕组连接,所述第四N型晶体管的栅极与所述PWM控制单元连接,所述电阻(R4)一端与所述第四N型晶体管(Q4)的漏极连接,另一端与所述信号处理单元以及所述电容(C3)连接,所述电容(C3) 一端与所述电阻(R4)连接,另一端连接地端。
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