[发明专利]一种可调谐切伦科夫辐射源无效
申请号: | 201110432132.8 | 申请日: | 2011-12-21 |
公开(公告)号: | CN102496678A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 刘盛纲;刘维浩;张平 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L37/00 | 分类号: | H01L37/00 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调谐 切伦科夫 辐射源 | ||
1.一种可调谐切伦科夫辐射源,包括电子枪(1)、介质圆环体(3)和沉积于介质圆环体(3)内表面的金属薄膜层(4);其特征在于,所述电子枪(1)发射的电子束从介质圆环体(3)的空心圆柱内掠过从而在金属薄膜层(4)表面激发表面等离子体波;所述金属薄膜层(4)的厚度小于所述表面等离子体波在金属薄膜层(4)所用金属材料中的趋肤深度δm,使得所述表面等离子体波能够透过金属薄膜层(4)到达介质圆环体(3)中;电子枪(2)所发射电子束的运动速度与真空中光速的比值β和介质圆环体(3)所用材料的折射率n满足切伦科夫辐射条件:nβ>1,使得所述表面等离子体波能够透过金属薄膜层(4)到达介质圆环体(3)内并转化为切伦科夫辐射。
2.一种可调谐切伦科夫辐射源,包括电子枪(1)、介质圆柱体(3)和沉积于介质圆柱体(3)外表面的金属薄膜层(4);其特征在于,所述电子枪(1)发射的电子束从金属薄膜层(4)外表面掠过从而在金属薄膜层(4)表面激发表面等离子体波;所述金属薄膜层(4)的厚度小于所述表面等离子体波在金属薄膜层(4)所用金属材料中的趋肤深度δm,使得所述表面等离子体波能够透过金属薄膜层(4)到达介质圆柱体(3)中;电子枪(2)所发射电子束的运动速度与真空中光速的比值β和介质圆柱体(3)所用材料的折射率n满足切伦科夫辐射条件:nβ>1,使得所述表面等离子体波能够透过金属薄膜层(4)到达介质圆柱体(3)内并转化为切伦科夫辐射。
2、根据权利要求1或2所述的可调谐切伦科夫辐射源,其特征在于,所述电子枪(1)为普通电子枪、电子扫描显微镜的电子枪或带电子加速器的电子枪。
3.根据权利要求1或2所述的可调谐切伦科夫辐射源,其特征在于,所述金属薄膜层(4)材料为金、银或铝。
4.根据权利要求1所述的可调谐切伦科夫辐射源,其特征在于,所述介质圆环体(3)材料为玻璃、硅、透明陶瓷、蓝宝石或二氧化钛。
5.根据权利要求2所述的可调谐切伦科夫辐射源,其特征在于,所述介质圆柱体(3)材料为玻璃、硅、透明陶瓷、蓝宝石或二氧化钛。
6.根据权利要求1所述的可调谐切伦科夫辐射源,其特征在于,所述可调谐切伦科夫辐射源还包括一个金属挡板(2),所述金属挡板(2)中间具有半径小于介质圆环体(3)内半径的圆形孔,使得电子枪(1)发射的电子束经过金属挡板(2)之后成为柱状电子束。
7.根据权利要求2所述的可调谐切伦科夫辐射源,其特征在于,所述可调谐切伦科夫辐射源还包括一个金属挡板(2),所述金属挡板(2)为直径大于介质圆柱体(3)直径的金属圆片,使得电子枪(1)发射的电子束经过金属挡板(2)之后成为环状电子束。
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