[发明专利]一种可调谐切伦科夫辐射源无效

专利信息
申请号: 201110432132.8 申请日: 2011-12-21
公开(公告)号: CN102496678A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 刘盛纲;刘维浩;张平 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L37/00 分类号: H01L37/00
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 调谐 切伦科夫 辐射源
【权利要求书】:

1.一种可调谐切伦科夫辐射源,包括电子枪(1)、介质圆环体(3)和沉积于介质圆环体(3)内表面的金属薄膜层(4);其特征在于,所述电子枪(1)发射的电子束从介质圆环体(3)的空心圆柱内掠过从而在金属薄膜层(4)表面激发表面等离子体波;所述金属薄膜层(4)的厚度小于所述表面等离子体波在金属薄膜层(4)所用金属材料中的趋肤深度δm,使得所述表面等离子体波能够透过金属薄膜层(4)到达介质圆环体(3)中;电子枪(2)所发射电子束的运动速度与真空中光速的比值β和介质圆环体(3)所用材料的折射率n满足切伦科夫辐射条件:nβ>1,使得所述表面等离子体波能够透过金属薄膜层(4)到达介质圆环体(3)内并转化为切伦科夫辐射。

2.一种可调谐切伦科夫辐射源,包括电子枪(1)、介质圆柱体(3)和沉积于介质圆柱体(3)外表面的金属薄膜层(4);其特征在于,所述电子枪(1)发射的电子束从金属薄膜层(4)外表面掠过从而在金属薄膜层(4)表面激发表面等离子体波;所述金属薄膜层(4)的厚度小于所述表面等离子体波在金属薄膜层(4)所用金属材料中的趋肤深度δm,使得所述表面等离子体波能够透过金属薄膜层(4)到达介质圆柱体(3)中;电子枪(2)所发射电子束的运动速度与真空中光速的比值β和介质圆柱体(3)所用材料的折射率n满足切伦科夫辐射条件:nβ>1,使得所述表面等离子体波能够透过金属薄膜层(4)到达介质圆柱体(3)内并转化为切伦科夫辐射。

2、根据权利要求1或2所述的可调谐切伦科夫辐射源,其特征在于,所述电子枪(1)为普通电子枪、电子扫描显微镜的电子枪或带电子加速器的电子枪。

3.根据权利要求1或2所述的可调谐切伦科夫辐射源,其特征在于,所述金属薄膜层(4)材料为金、银或铝。

4.根据权利要求1所述的可调谐切伦科夫辐射源,其特征在于,所述介质圆环体(3)材料为玻璃、硅、透明陶瓷、蓝宝石或二氧化钛。

5.根据权利要求2所述的可调谐切伦科夫辐射源,其特征在于,所述介质圆柱体(3)材料为玻璃、硅、透明陶瓷、蓝宝石或二氧化钛。

6.根据权利要求1所述的可调谐切伦科夫辐射源,其特征在于,所述可调谐切伦科夫辐射源还包括一个金属挡板(2),所述金属挡板(2)中间具有半径小于介质圆环体(3)内半径的圆形孔,使得电子枪(1)发射的电子束经过金属挡板(2)之后成为柱状电子束。

7.根据权利要求2所述的可调谐切伦科夫辐射源,其特征在于,所述可调谐切伦科夫辐射源还包括一个金属挡板(2),所述金属挡板(2)为直径大于介质圆柱体(3)直径的金属圆片,使得电子枪(1)发射的电子束经过金属挡板(2)之后成为环状电子束。

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