[发明专利]制造碳化硅单晶的装置

权利要求书

1.一种制造碳化硅单晶(20)的装置，其通过从由碳化硅单晶基片制成的籽晶(5)的下面供应用于碳化硅的原料气体(3)来在籽晶(5)的表面上生长碳化硅单晶，该装置包括：

圆柱形管状加热容器(8)，其具有限定反应腔的内壁表面；

基部(9)，其定位于加热容器的反应腔中并且具有第一侧和与第一侧相反的第二侧，籽晶安装于基部的第一侧上；

第一净化气体入口(8b)，其设置于加热容器的内壁以引起净化气体沿着加热容器的内壁表面流动；

净化气体源(14)，其用于将净化气体供应至第一净化气体入口；

第二净化气体入口(93)，其设置于基部的外壁以引起净化气体沿着基部的外壁表面流动；以及

净化气体导入机构(11)，其用于支撑基部以及用于从基部的第二侧将净化气体供应至基部。

2.根据权利要求1的装置，其中

第一净化气体入口在加热容器的圆周方向上沿着加热容器的内壁表面圆形地延伸。

3.根据权利要求1的装置，其中

加热容器包括管部分(8c)以及具有环形形状的第一导向部分(8d)，并且

第一导向部分与管部分的内壁表面间隔开以在其间形成第一净化气体入口。

4.根据权利要求3的装置，其中

第一导向部分与管部分的内壁表面间隔开预定的恒定距离，并且

管部分的内壁表面与第一导向部分的外壁表面平行。

5.根据权利要求3的装置，其中

第一导向部分的内径在原料气体的流动方向上增大。

6.根据权利要求5的装置，其中

第一导向部分的内壁表面是锥形的以使得第一导向部分的内径在原料气体的流动方向上增大，并且

第一导向部分的内壁表面和第一导向部分的外壁表面形成45°或更小的角度。

7.根据权利要求3的装置，其中

加热容器的管部分具有第一管部件以及与第一管部件相通的第二管部件，

第一管部件的内径在原料气体的流动方向上逐渐地减小，

第一管部件在原料气体的流动方向上定位于第二管部件的下游侧上，并且

第一管部件在原料气体的流动方向上定位于第一净化气体入口的下游侧上。

8.根据权利要求1的装置，其中

第一净化气体入口包括多个第一净化气体入口。

9.根据权利要求1的装置，其中

加热容器涂覆有耐热金属碳化物。

10.根据权利要求1至9的任何一个的装置，还包括：

具有环形形状的第二导向部分(11b、91c、92b、92e、96)，其中

第二导向部分与基部的外壁表面间隔开以在其间形成第二净化气体入口。

11.根据权利要求10的装置，其中

第二导向部分与基部的外壁表面间隔开预定的恒定距离，并且

第二导向部分的内壁表面与基部的外壁表面平行。

12.根据权利要求10的装置，其中

净化气体导入机构具有管道元件(11a)，净化气体通过管道元件(11a)供应至基部，

基部包括结合至管道元件的结合部分(91)以及具有第一侧和与第一侧相反的第二侧的安装部分(92)，

安装部分的第一侧限定籽晶安装于此的安装表面，

结合部分包括与安装部分的第二侧装配的圆柱形管部分(91c)，

结合部分的管部分的外壁表面限定基部的外壁表面，

安装部分具有第二导向部分，

第二导向部分从安装部分的第二侧垂直地伸出，其方式使得第二导向部分的内壁表面面向结合部分的管部分的外壁表面并且与之间隔开以在其间形成第二净化气体入口，并且

第二净化气体入口的构造方式使得通过第二净化气体入口排出的净化气体在与原料气体的流动方向相同的方向上沿着结合部分的管部分的外壁表面流动。

13.根据权利要求12的装置，其中

第二导向部分的外径在原料气体的流动方向上减小。