[发明专利]忆阻存储器有效
| 申请号： | 201110431432.4 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103178207A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 陈广龙;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种忆阻存储器，其特征在于：忆阻存储器包括一阻变存储介质层，该阻变存储介质层由钨氧化物和氮氧化钛叠加而成。
2.如权利要求1所述的忆阻存储器，其特征在于：所述忆阻存储器还包括由钨组成的底层电极材料，由钛或氮化钛组成的顶层电极材料，由金属铝或者铝铜合金组成的上电极，以及由金属铝或者铝铜合金组成的下电极；所述底层电极材料位于所述阻变存储介质层的下方并和所述阻变存储介质层的所述钨氧化物接触，所述底层电极材料的底部连接所述下电极；所述顶层电极材料位于所述阻变存储介质层的上方并和所述阻变存储介质层的所述氮氧化钛接触，所述顶层电极材料的顶部连接所述上电极。
3.如权利要求1所述的忆阻存储器，其特征在于：所述钨氧化物的厚度为100埃～1000埃；所述氮氧化钛的厚度为50埃～300埃。
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