[发明专利]一种新型道尔蒂功率放大器有效
申请号: | 201110431004.1 | 申请日: | 2011-12-20 |
公开(公告)号: | CN103178785A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 王林;黎峰;徐长久 | 申请(专利权)人: | 上海贝尔股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/07 | 分类号: | H03F1/07 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 罗朋;周建华 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 道尔蒂 功率放大器 | ||
技术领域
本发明涉及通信技术领域,尤其涉及一种新型道尔蒂功率放大器。
背景技术
与工作在AB类的普通功率放大器相比,经典的道尔蒂放大器(Doherty Power Amplifier,DPA)在功率回退为6dB的情况下,具有较高的性能。因此,该经典道尔蒂放大器被广泛应用于现有的通信系统中。由于阻抗变换网络具有色散特性,因此,该经典道尔蒂放大器的频带宽度由于阻抗变换网络的存在而受到限制。在此,色散是指阻抗随着频率的变换而变化,但通常很难消除。
现有技术通常有三种方式来解决上述问题:
1)采用工作在不同频率上的DPA,这些DPA保持同样的性能,然后将这些DPA集成在同一个系统中,根据系统工作频率,选择合适的DPA进行工作。然而,这将导致射频(radio frequency,RF)系统复杂,结构体积扩大,成本明显提升。
2)采用氮化钾(GaN)功率晶体管。由于该功率晶体管的带宽远高于现有的LDMOS技术,因此,很适合用于带宽功率放大器中。然而,GaN功率晶体管的产量较低且工艺复杂,导致该GaN功率晶体管的价格比LDMOS昂贵至少4倍,因此,商业价值较低。
3)采用电源调制技术。但由于受现有的电源技术的限制,无法根据输入射频信号的包络来实时动态调整晶体管的工作电压。
图1示出现有技术中一种经典道尔蒂功率放大器的结构示意图。
发明内容
本发明的目的是提供一种新型道尔蒂功率放大器。
根据本发明的一个方面,提供了一种新型道尔蒂功率放大器,其中,该功率放大器包括:
-驱动器;
-两条功率放大路径,其中,每条功率放大路径上包括至少一个放大器;
-阻抗变换网络。
作为本发明的优选实施例之一,所述两条功率放大路径中的每条功率放大路径上均包括至少一个移相器。
作为本发明的优选实施例之一,当一条功率放大路径上包括所述放大器以及所述移相器时,所述放大器以及所述移相器依信号传输方向的排布顺序为移相器、放大器。
作为本发明的优选实施例之一,所述两条功率放大路径中的其中一条包括载波放大器,另一条包括峰值放大器。
作为本发明的优选实施例之一,所述阻抗变换网络在负载和所述阻抗变换网络的节点间包括偶数个阻抗变换器。
作为本发明的优选实施例之一,所述载波放大器所在的功率放大路径上包括至少一个阻抗变换器。
作为本发明的优选实施例之一,所述阻抗变换器包括四分之一波长阻抗变换器。
作为本发明的优选实施例之一,所述峰值放大器所在的功率放大路径上包括至少一个相位补偿器。
根据本发明的另一个方面,还提供了一种终端设备,包括如上述的功率放大器。
与现有技术相比,本发明通过改变经典道尔蒂功率放大器中的阻抗变换网络,从而简化了该经典道尔蒂功率放大器的架构,形成了一种新型道尔蒂功率放大器,进一步地,改善了该阻抗变换网络的色散特性,提高了该功率放大器的工作频宽。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1示出现有技术中一种经典道尔蒂功率放大器的结构示意图;
图2示出根据本发明一个方面的新型道尔蒂功率放大器的结构示意图;
图3示出根据本发明一个优选实施例的新型道尔蒂功率放大器的结构示意图。
附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细描述。
图2示出根据本发明一个方面的新型道尔蒂功率放大器的结构示意图;该功率放大器包括驱动器、两条功率放大路径和阻抗变换网络。
该功率放大器包括驱动器。具体地,该驱动器根据经由外部器件输入的信号,将其按照控制目标的要求,转换为加在控制端和公共端之间,可以使其开通或关断的信号。
两条功率放大路径,其中,每条功率放大路径上包括至少一个放大器。信号经由外部器件输入该两条功率放大路径,并经由该两条功率放大路径上的放大器放大并输出给其他外部器件,以使其他外部器件能够将该两条功率放大路径输出的功率合成以获得较高的输出功率。其中,放大器包括但不限于诸如载波放大器、峰值放大器、射频放大器、集成放大模块等多种功率放大器件。
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