[发明专利]单晶硅制造装置热场无效
| 申请号： | 201110430417.8 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103173852A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 袁文宝 | 申请（专利权）人： | 卉欣光电科技（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225507 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制造 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅制造装置热场，它包括炉壁（7）、石英坩埚（3）、石墨坩埚（5）、石墨加热器（4）、石墨隔套（6）；所述石英坩埚（3）置于石墨坩埚（5）内，石墨加热器（4）设置在石墨坩埚（5）的周围；所述石墨隔套（6）套装在炉壁（7）内壁，将石墨加热器（4）包围在其内侧空间；从石英坩埚（3）内的熔硅（2）中拉出棒状单晶硅（1）；在石英坩埚（3）的上方设有锥形导气罩（8）；其特征在于：所述导气罩（8）为上下锥筒结合件，所述上下锥筒的小端密封连接，并采用圆弧平滑连接；上部锥筒的大端孔径D1大于下部锥筒的大端孔径D3。
2.根据权利要求1所述的单晶硅制造装置热场，其特征在于：所述上下锥筒的小端孔径D2比单晶硅（1）直径大60～70mm，下部锥筒的大端孔径D3比石英坩埚（3）的内径小30～40mm；上部锥筒的锥角α1为90°～100°，下部锥筒的锥角α2为60°～70°。
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