[发明专利]单晶硅制造装置热场无效
申请号: | 201110430417.8 | 申请日: | 2011-12-21 |
公开(公告)号: | CN103173852A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 袁文宝 | 申请(专利权)人: | 卉欣光电科技(江苏)有限公司 |
主分类号: | C30B15/14 | 分类号: | C30B15/14;C30B29/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 225507 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶硅 制造 装置 | ||
1.一种单晶硅制造装置热场,它包括炉壁(7)、石英坩埚(3)、石墨坩埚(5)、石墨加热器(4)、石墨隔套(6);所述石英坩埚(3)置于石墨坩埚(5)内,石墨加热器(4)设置在石墨坩埚(5)的周围;所述石墨隔套(6)套装在炉壁(7)内壁,将石墨加热器(4)包围在其内侧空间;从石英坩埚(3)内的熔硅(2)中拉出棒状单晶硅(1);在石英坩埚(3)的上方设有锥形导气罩(8);其特征在于:所述导气罩(8)为上下锥筒结合件,所述上下锥筒的小端密封连接,并采用圆弧平滑连接;上部锥筒的大端孔径D1大于下部锥筒的大端孔径D3。
2.根据权利要求1所述的单晶硅制造装置热场,其特征在于:所述上下锥筒的小端孔径D2比单晶硅(1)直径大60~70mm,下部锥筒的大端孔径D3比石英坩埚(3)的内径小30~40mm;上部锥筒的锥角α1为90°~100°,下部锥筒的锥角α2为60°~70°。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卉欣光电科技(江苏)有限公司,未经卉欣光电科技(江苏)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110430417.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:新型红外感应汽车太阳能空调
- 下一篇:一种内科用器械架