[发明专利]单晶硅制造装置热场无效

专利信息
申请号: 201110430417.8 申请日: 2011-12-21
公开(公告)号: CN103173852A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 袁文宝 申请(专利权)人: 卉欣光电科技(江苏)有限公司
主分类号: C30B15/14 分类号: C30B15/14;C30B29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 225507 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 单晶硅 制造 装置
【权利要求书】:

1.一种单晶硅制造装置热场,它包括炉壁(7)、石英坩埚(3)、石墨坩埚(5)、石墨加热器(4)、石墨隔套(6);所述石英坩埚(3)置于石墨坩埚(5)内,石墨加热器(4)设置在石墨坩埚(5)的周围;所述石墨隔套(6)套装在炉壁(7)内壁,将石墨加热器(4)包围在其内侧空间;从石英坩埚(3)内的熔硅(2)中拉出棒状单晶硅(1);在石英坩埚(3)的上方设有锥形导气罩(8);其特征在于:所述导气罩(8)为上下锥筒结合件,所述上下锥筒的小端密封连接,并采用圆弧平滑连接;上部锥筒的大端孔径D1大于下部锥筒的大端孔径D3。

2.根据权利要求1所述的单晶硅制造装置热场,其特征在于:所述上下锥筒的小端孔径D2比单晶硅(1)直径大60~70mm,下部锥筒的大端孔径D3比石英坩埚(3)的内径小30~40mm;上部锥筒的锥角α1为90°~100°,下部锥筒的锥角α2为60°~70°。

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