[发明专利]液晶显示器件及其制造方法

说明书

本申请是申请号为200510097104.X、申请日为2005年12月30日、发明名称为“液晶显示器件及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及液晶显示(LCD)器件，更具体地，涉及面内切换(IPS)型LCD器件及其制造方法。

背景技术

LCD器件通常用于产生高质量图像并使用低功耗。LCD器件包括以相对的方式接合在一起并且其间具有均匀间隔的薄膜晶体管(TFT)阵列基板和滤色器基板，在TFT阵列基板与滤色器基板之间形成有液晶层。TFT阵列基板包括按矩阵结构设置的像素单位，各单位像素包括TFT、像素电极和电容器。滤色器基板包括：公共电极，用于与像素电极一起对液晶层产生电场；RGB滤色器，用于实现颜色；以及黑底。

在TFT阵列基板和滤色器基板的相对表面上形成有配向膜，采用摩擦技术来将液晶层初始配向为沿着特定方向。当在按照TFT阵列基板上的各单位像素而形成的像素电极与形成在滤色器基板的整个表面上的公共电极之间产生电场时，液晶层的液晶由于介电各向异性而旋转，从而透过或阻挡各单位像素的光以显示字符或图像。然而，上述扭转向列(TN)型LCD器件的缺陷在于其视角窄。因此，开发了通过将液晶分子配向为沿着几乎水平(面内)的方向来解决视角窄的问题的面内切换(IPS)型LCD。

图1A是根据现有技术的面内切换型LCD器件的平面图，图1B是沿着图1A的I-I’截取的根据现有技术的面内切换型LCD器件的剖面图。在图1A中，垂直和水平地布置选通线1和数据线3，以在透明的第一基板10上限定像素区。具体地，n条选通线1和m条数据线3交叉以产生n×m个像素。然而，为了简洁，在图1A和1B中只示出了一个代表性的单位像素。

在图1A中，在选通线1与数据线3的交叉处设置包括栅极1a、半导体层5以及源极2a/漏极2b的TFT 9。栅极1a以及源极2a/漏极2b分别与选通线1和数据线3相连接，并且在基板的整个表面上层叠栅绝缘膜8(见图1B)。

在选通线1和数据线3限定的像素区中，与选通线1平行地设置公共线16，与数据线3平行地设置一对电极(即，用于对液晶分子进行开关的公共电极6和像素电极7)。公共电极6与选通线1一起同时形成，并与公共线16相连接，并且，像素电极7与TFT 9的漏极2b相连接。接下来，在包括源极2a/漏极2b的整个基板10上形成钝化膜11(见图1B)，并且在钝化膜11上形成像素电极7。于是，与公共线16交叠并与像素电极7相连接的像素电极线17形成存储电容器Cst，其间插入有栅绝缘膜8和钝化膜11。

在图1B中，在第二基板20上形成用于防止光泄漏到TFT 9的黑底21、选通线1、数据线3、以及用于实现颜色的滤色器23。然后，可以在其上涂布用于使滤色器23平坦化的涂覆膜(未示出)，并且在第一基板10与第二基板20的相对表面上涂布用于确定液晶的初始配向方向的配向膜12a和12b。此外，在第一基板10与第二基板20之间形成通过施加到公共电极6和像素电极7的电压来控制透光率的液晶层30。

在具有上述结构的IPS型LCD器件中，通过TFT 9对各像素进行开关，并且可以通过存储电容器Cst保持像素电压。然而，在TFT的结构方面，栅极1a和源极2a相互交叠，在这些交叠部分产生寄生电容，这改变像素电压。此外，寄生电容分别根据栅极与源极交叠的区域以及栅极与栅极交叠的区域而变化。具体地，根据基板尺寸增大的趋势，针对同一图案受到数次曝光处理的拼合模型(stitch model)具有交叠区域(栅极与源极之间以及栅极与漏极之间)的面积在各个像素都不同的问题。如果TFT的总面积不同，则寄生电容不同，从而像素电压的变化率也不同。因此，LCD器件的图片质量可能由于寄生电容按照像素位置的不一致性而劣化。

发明内容

因此，本发明旨在提供一种LCD器件及其制造方法，其基本上克服了由于现有技术的局限和缺点引起的一个或更多个问题。

本发明的一个目的是提供一种能够在整个像素上保持一致的像素电压的LCD器件。

本发明的另一目的是提供一种能够在整个像素上保持一致的像素电压的LCD器件的制造方法。

本发明的附加特征和优点将在以下说明中阐述，部分地根据说明而显见，或者可以通过对本发明的实践而习得。通过所著说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构可以实现和获得本发明的目的和其它优点。