[发明专利]均热结构与其制法及具有该均热结构的散热模块

权利要求书

1.一种均热结构，其特征在于，包括：

具有第一凹槽的第一盖体及具有第二凹槽的第二盖体，且该第一凹槽及该第二凹槽的底面分别形成有多个微结构；

支撑体，其具有多个透孔，以由该第一盖体及该第二盖体夹置其中，其中，该第一凹槽与该第二凹槽面对该支撑体，以于该第一盖体、该支撑体及该第二盖体之间形成腔室；以及

工作流体，其容置于该腔室内，以借由该多个微结构及该多个透孔而在该腔室中自如流动。

2.根据权利要求1所述的均热结构，其特征在于，该第一凹槽的侧壁、该第二凹槽的侧壁、或该第一凹槽及该第二凹槽的侧壁形成有多个微结构。

3.根据权利要求1所述的均热结构，其特征在于，该腔室内为真空状态。

4.根据权利要求1所述的均热结构，其特征在于，形成该第一盖体及该第二盖体的材料为硅。

5.根据权利要求1所述的均热结构，其特征在于，形成该支撑体的材料为玻璃。

6.根据权利要求1所述的均热结构，其特征在于，该工作流体为水。

7.根据权利要求1所述的均热结构，其特征在于，该第一凹槽及该第二凹槽的多个微结构为凸部。

8.根据权利要求1所述的均热结构，其特征在于，该第一盖体、第二盖体和支撑体使用高温高压阳极工艺而结合成一体。

9.一种均热结构的制法，其特征在于，包含下列步骤：

1)于一第一盖体的第一凹槽及一第二盖体的第二凹槽的底面分别形成多个微结构，并在该第一盖体或该第二盖体上开设导引孔，且在一支撑体中形成多个透孔；

2)令该第一盖体及该第二盖体以该第一凹槽及该第二凹槽面对该支撑体的方式将该支撑体夹置于该第一盖体与该第二盖体之间，使该第一盖体、支撑体及第二盖体之间形成腔室；以及

3)通过该导引孔导入工作流体于该腔室内，再封闭该导引孔，使该工作流体借由该多个微结构及该多个透孔在该腔室中流动。

10.根据权利要求9所述的均热结构的制法，其特征在于，步骤1)还包括在该第一凹槽的侧壁、该第二凹槽的侧壁、或该第一凹槽及该第二凹槽的侧壁形成多个微结构。

11.根据权利要求9所述的均热结构的制法，其特征在于，在该第一凹槽及该第二凹槽的底面上形成该多个微结构是以蚀刻技术为之。

12.根据权利要求9所述的均热结构的制法，其特征在于，在该支撑体中形成该多个透孔是以激光技术为之。

13.根据权利要求9所述的均热结构的制法，其特征在于，步骤2)还包括以高温高压使该第一盖体及该第二盖体夹置该支撑体并予以结合。

14.根据权利要求9所述的均热结构的制法，其特征在于，于执行步骤3)封闭该导引孔之前，还包括使该腔室呈真空状态的步骤。

15.根据权利要求9所述的均热结构的制法，其特征在于，该第一盖体和该第二盖体是使用微影工艺硅材料制成。

16.一种散热模块，其应用于芯片的散热，其特征在于，该散热模块包括：

散热结构；

热接口材料，其涂布于该散热结构上；

均热结构，其间隔着该热接口材料而设置于该散热结构上，且该均热结构远离该热接口材料的表面具有绝缘层，其中，该均热结构包括：

具有第一凹槽的第一盖体及具有第二凹槽的第二盖体，且该第一凹槽及该第二凹槽的底面分别形成有多个微结构；

支撑体，其具有多个透孔，以由该第一盖体及该第二盖体夹置其中，其中，该第一凹槽与该第二凹槽面对该支撑体，且该第一盖体、支撑体及第二盖体之间形成有腔室；及

工作流体，其容置于该腔室内，以借由该多个微结构及该多个透孔而在该腔室中自如流动；

金属层，其形成于该均热结构的绝缘层上；以及

芯片，其设置于该金属层上。

17.根据权利要求16所述的散热模块，其特征在于，该芯片为发光二极管芯片。

18.根据权利要求16所述的散热模块，其特征在于，该绝缘层为二氧化硅层。