[发明专利]在硅基底表面制备含氟碳基薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110426211.8 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103160800A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张俊彦;杨涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/44 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基底 表面 制备 含氟碳基 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在硅基底表面制备含氟碳基薄膜的方法，其特征在于该方法按照下列顺序步骤进行：
A沉积基片为抛光硅片，依次用无水乙醇、丙酮和超声波清洗机清洗；
B采用增强型等离子体气相沉积设备，薄膜沉积前，在4.5～5Pa下，基底下偏压800～1000V、频率20～30KHz、占空比60～80％下，以300sccm氩气对基片进行等离子体清洗30min；
C为增强含氟非晶碳膜和基片之间的结合力，在15～20Pa下，基底偏压1000～1200V、频率20～30KHz、占空比60～80％下，以10.3sccm甲烷、20sccm氢气沉积不含氟碳膜10～15min；
D在15Pa下，基地偏压1000～1200V、频率20～30KHz占空比60～80％下，沉积含氟碳膜，条件1sccm四氟化碳、10.3sccm甲烷、20sccm氢气。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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