[发明专利]一类具有弯曲分子结构化合物的应用有效
| 申请号: | 201110425228.1 | 申请日: | 2011-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN102544370A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
| 发明(设计)人: | 王彤;钱先锐 | 申请(专利权)人: | 长春圣卓龙电子材料有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/30 | 分类号: | H01L51/30 |
| 代理公司: | 长春科宇专利代理有限责任公司 22001 | 代理人: | 马守忠 |
| 地址: | 130021 吉林省长春*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一类 具有 弯曲 分子结构 化合物 应用 | ||
1.一类具有弯曲结构分子的化合物的应用,其特征在于,所述的化合物用于弱外延生长薄膜中的诱导层材料;所述化合物的名称及分子结构式如下;
(1)1-(4-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四联苯基)-3-苯基苯,分子结构式为
(2)1-(4-1,1′:4′,1″-三联苯基)-3-(4-1,1′-二联苯基)苯;分子结构式为
(3)1,3-二(4-1,1′:4′,1″-三联苯基)苯;分子结构式为
(4)2-(4-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四联苯基)-6-苯基吡啶;分子结构式为
(5)2-(4-1,1′:4′,1″-三联苯基)-6-(4-1,1′-二联苯基)吡啶;分子结构式为
(6)2,6-二(4-1,1′:4′,1″-三联苯基)吡啶;分子结构式为
(7)2-(4-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四联苯基)-5-苯基噻吩;分子结构式为
(8)2-(4-1,1′:4′,1″-三联苯基)-5-(4-1,1′-二联苯基)噻吩;分子结构式为
(9)1-[4-(4″′-氟代-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四联苯基)]-3-[4-(1-氟苯基)]苯;分子结构式为
(10)1-[4-(4″-氟代-1,1′:4′,1″-三联苯基)]-3-[4-(4′-氟代-1,1′-二联苯基)]苯;分子结构式为
(11)1,3-二(4-4″-氟代-1,1′:4′,1″-三联苯基)苯;分子结构式为
(12)2-[4-(4″′-氟代-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四联苯基)]-6-[4-(1-氟苯基)]吡啶;分子结构式为
(13)2-[4-(4″-氟代-1,1′:4′,1″-三联苯基)]-6-[4-(4′-氟代-1,1′-二联苯基)]吡啶;分子结构式为
(14)2,6-二(4-4″-氟代-1,1′:4′,1″-三联苯基)吡啶;分子结构式为
(15)1-[4-(3″′,5″′-二氟代-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四联苯基)]-3-[4-(2,6-二氟代苯基)]苯;分子结构式为
(16)1-[4-(3″′,5″′-二氟代-1,1′:4′,1″-三联苯基)]-3-[4-(3′,5′-二氟代-1,1′-二联苯基)]苯;分子结构式为
(17)1,3-bis[4-(3″′,5″′-二氟代-1,1′:4′,1″-三联苯基)]苯;分子结构式为
(18)2-[4-(3″′,5″′-二氟代-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四联苯基)]-6-[4-(2,6-二氟代苯基)]吡啶;分子结构式为
(19)2-[4-(3″′,5″′-二氟代-1,1′:4′,1″-三联苯基)]-6-[4-(3′,5′-二氟代-1,1′-二联苯基)]吡啶;分子结构式为
(20)2-[4-(3″′,5″′-二氟代-1,1′:4′,1″-三联苯基)]-6-[4-(3′,5′-二氟代-1,1′-二联苯基)]吡啶;分子结构式为
(21)2-[4-(4″-氟代-1,1′:4′,1″-三联苯基)]-5-[4-(4′-氟代-1,1′-二联苯基)]噻吩;分子结构式为
(22)2-[4-(4″′-氟代-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四联苯基)]-5-[4-(1-氟苯基)]噻吩;分子结构式为
(23)2-[4-(3″′,5″′-二氟代-1,1′:4′,1″-三联苯基)]-5-[4-(3′,5′-二氟代-1,1′-二联苯基)]噻吩;分子结构式为
(24)2-[4-(3″′,5″′-二氟代-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四联苯基)]-5-[4-(2,6-二氟代苯基)]噻吩;分子结构式为
2.如权利要求1所述的一类具有弯曲结构分子的化合物的应用,其特征在于,用所述的一类具有弯曲分子结构的化合物作为诱导层材料,用弱外延生长制备有机半导体薄膜和器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





