[发明专利]矩阵衬底、检测设备、检测系统和驱动检测设备的方法

权利要求书

1.一种矩阵衬底，包括：

多个像素，所述多个像素按矩阵布置；

多个驱动线，所述多个驱动线在列方向上布置，所述多个驱动线中的每个驱动线在行方向上与多个像素共同连接；

多个连接端子，所述多个连接端子被配置为将驱动所述像素的驱动电路和所述驱动线彼此连接，所述多个连接端子的数量比所述驱动线的数量少；和

解复用器，所述解复用器被配置为包括多个第一多晶半导体薄膜晶体管，并包括第一控制线，所述多个第一多晶半导体薄膜晶体管布置在所述连接端子与所述驱动线之间，以一对一的方式与所述驱动线对应，并将使所述像素处于选择状态的第一电压供给所述驱动线，所述第一控制线将所述第一多晶半导体薄膜晶体管的导通电压和非导通电压供给所述第一多晶半导体薄膜晶体管的控制电极，

其中，所述解复用器包括多个第二多晶半导体薄膜晶体管，并包括第二控制线，所述多个第二多晶半导体薄膜晶体管布置在所述连接端子与所述驱动线之间，以一对一的方式与所述驱动线对应，并使所述驱动线保持具有使所述像素处于非选择状态的第二电压，所述第二控制线将所述第二多晶半导体薄膜晶体管的导通电压和非导通电压供给所述第二多晶半导体薄膜晶体管的控制电极。

2.根据权利要求1所述的矩阵衬底，还包括：

第一连接端子，所述第一连接端子与所述第一控制线电连接；和

第二连接端子，所述第二连接端子与所述第二控制线电连接，

其中，当布置多个连接端子时，所述解复用器包括布置在所述多个连接端子之一与所述驱动线中的两个或更多个之间的单元块，所述单元块包括所述第一多晶半导体薄膜晶体管中的两个或更多个并包括所述第二多晶半导体薄膜晶体管中的两个或更多个。

3.根据权利要求2所述的矩阵衬底，

其中，所述单元块包括所述第一多晶半导体薄膜晶体管中的两个和所述第二多晶半导体薄膜晶体管中的两个，并执行一对二的解复用操作，并且

与所述第一多晶半导体薄膜晶体管中的一个第一多晶半导体薄膜晶体管的控制电极连接的第一连接端子与所述第二多晶半导体薄膜晶体管中的一个第二多晶半导体薄膜晶体管的控制电极电连接，所述一个第一多晶半导体薄膜晶体管与所述驱动线中的与所述单元块连接的并对应于第一行的一个驱动线连接，所述一个第二多晶半导体薄膜晶体管与所述驱动线中的与所述单元块连接的并对应于第二行的一个驱动线连接。

4.根据权利要求2所述的矩阵衬底，

其中，所述单元块包括所述第一多晶半导体薄膜晶体管中的两个和所述第二多晶半导体薄膜晶体管中的两个，并执行一对二的解复用操作，并且

与所述第一多晶半导体薄膜晶体管中的一个第一多晶半导体薄膜晶体管的控制电极连接的第一连接端子通过反相器与所述第二多晶半导体薄膜晶体管中的一个第二多晶半导体薄膜晶体管的控制电极电连接，所述一个第一多晶半导体薄膜晶体管与所述驱动线中的与所述单元块连接的并对应于第一行的一个驱动线连接，所述一个第二多晶半导体薄膜晶体管与所述驱动线中的与所述单元块连接的并对应于所述第一行的一个驱动线连接。

5.根据权利要求1所述的矩阵衬底，

其中，所述解复用器还包括在所述连接端子与所述驱动线之间的与所述第一多晶半导体薄膜晶体管并列布置的多个第三多晶半导体薄膜晶体管，并且

所述第三多晶半导体薄膜晶体管的控制电极在相加模式下共同地与被供给所述第三多晶半导体薄膜晶体管的导通电压的连接端子电连接。

6.根据权利要求1所述的矩阵衬底，

其中，所述解复用器还包括屏蔽部分，所述屏蔽部分从上方覆盖所述第一多晶半导体薄膜晶体管和所述第二多晶半导体薄膜晶体管，并与被供给固定电势的连接端子电连接。

7.根据权利要求1所述的矩阵衬底，

其中，所述像素包括开关元件，所述开关元件输出与由将放射线或光束转换为电荷的转换元件产生的电荷对应的电信号，并且

所述第一电压是所述开关元件的导通电压，所述第二电压是所述开关元件的非导通电压。